2026.2.12马年启新程，佳绩再传！创锐光谱全自动 SiC 衬底位错缺陷无损检测系统 Dispec-9000 再次顺利完成国内头部客户正式订单的交付。这是继 2025 年出货至美国行业头部客户并成功验收之后，创锐在短时间内完成的又一次重要设备交付。多台设备相继出货，标志着公司在产能组织、质量控制与交付保障能力上，已进入更加成熟、稳定、可持续的阶段。

近日，借助Dispec-9000碳化硅衬底位错缺陷无损检测设备，创锐光谱成功实现了12英寸导电型碳化硅衬底位错缺陷的无损检测。导电型12英寸碳化硅衬底位错缺陷无损检测结果12英寸的碳化硅衬底晶圆由于其生产加工难度大，良率低，单片市场价格一度达到2万美金（约15万元人民币）。与此同时，相较于目前较为成熟的6英寸和8英寸晶圆，其位错缺陷的密度也普遍偏高，这是大尺寸晶圆迭代过程中的普遍规律。

3月20日，据韩国媒体THE ELEC报道，三星电子计划启动一条8英寸氮化镓功率半导体代工厂生产线，预计最早将于今年第二季度实现全面量产。这一举措标志着三星在宣布进军氮化镓晶圆代工业务三年多后，正式落地相关布局、跻身这一赛道。据悉，三星目前已斩获一位客户，但受限于客户基础尚未完善，该氮化镓晶圆代工业务初期收入预计将低于1000亿韩元。

12英寸SiC衬底是支撑AR眼镜、先进封装等新兴高增长市场的核心材料，但其制备与加工技术成为落地应用的关键壁垒。其中，切磨抛工艺是12英寸SiC衬底量产技术中需重点攻克的核心环节之一，这源于 AR眼镜与先进封装对衬底片内总厚度偏差（TTV）提出了1μm以下的严苛精度要求。

回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为泰坦未来总经理汪徵、华工激光半导体事业部总经理黄伟博士。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。

SiC衬底正迎来令人瞩目的“破圈”机遇——从新能源汽车等传统优势赛道，悄然向AR光波导、先进封装中介层等前沿增量场景延伸，而12英寸SiC技术正成为这一进程中的关键支点。为此，国内外SiC衬底头部企业相继官宣12英寸技术突破，并启动相关产线建设。

近日，润新微电子、必易微、泰新半导体在氮化镓领域同步推进产品创新与技术突破，市场订单持续落地：润新微电子：2025年氮化镓芯片年出货量突破两亿颗，预计今年一季度营收同比增长超420%；必易微：合封GaN产品累计出货8000万支，实现GaN直驱等技术突破；

近日，润新微电子、必易微、泰新半导体在氮化镓领域同步推进产品创新与技术突破，市场订单持续落地：润新微电子：2025年氮化镓芯片年出货量突破两亿颗，预计今年一季度营收同比增长超420%；必易微：合封GaN产品累计出货8000万支，实现GaN直驱等技术突破；

3月20日，瀚天天成正式公布其全球发售文件，预计于3月30日在香港联合交易所挂牌上市，由中金公司担任独家保荐人，标志着这家半导体企业将正式迈入港股资本市场。发售文件显示，瀚天天成拟全球发售约2149.21万股H股，发售价确定为每股76.26港元。目前瀚天天成已引入厦门先进制造业基金作为基石投资者，协议认购总额为9910万美元（约合人民币6.84亿）的股份，约合1005.85万股。此外他们还获得华为哈勃科技、华润微电子等企业的投资。

回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为中瑞宏芯半导体CEO张振中、宇泉半导体技术总工徐文辉。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。

近期，“行家说三代半”发现，斯达半导体、宇泉半导体、安建半导体三家企业的碳化硅（SiC）功率模块项目相继取得新进展，合计新增年产能达1030万只，标志着国产SiC模块进入规模化放量阶段。斯达半导体：募集资金不超过15 亿元，聚焦车规级SiC/GaN模块布局；

在全球人工智能领域最具影响力的技术盛会之一的 NVIDIA GTC 2026 大会上，英诺赛科凭借在氮化镓（GaN）功率半导体领域的领先技术与产品创新，荣获NVIDIA GTC MGX 生态合作伙伴奖，成为本届大会中唯一获奖的中国芯片企业。

3月16日，天域半导体发布了2025财年业绩预告。报告期内，天域半导体2025财年SiC外延收入同比增加约1.9亿元人民币，净亏损同比大幅收窄近90%。营收增长1.9亿亏损收窄接近90%据业绩预告披露，2025财年天域半导体的核心财务指标呈现出强劲的复苏态势，经营基本面得到扭转。

3月16日，2026英伟达GTC大会拉开帷幕。在这场由英伟达主办的全球顶级AI盛会中，黄仁勋不仅抛出多个重磅信息，还进一步透露其800VDC数据中心的建设进展：AI业务进展：推出下一代Vera Rubin芯片及Kyber机架，单柜功率将突破350kW，预计到2027年来自GPU芯片的采购订单总额将达到1万亿美元；

近日，全球人工智能领域最具影响力的年度盛会 NVIDIA GTC 2026 在美国加州圣何塞举行。本届大会以AI工业化与规模化应用为核心主题，重点聚焦加速计算、AI Factory建设以及数据中心能效升级等关键技术方向，成为全球AI产业发展的重要风向标。

回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为中恒微新能源事业部总监孔令超、飞仕得科技设备事业部销售总监骆皓荣。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。

近期，国内和韩国3条8英寸碳化硅晶圆线相继公布了新进展，8英寸SiC作为大尺寸升级的核心方向，正成为全球半导体企业布局的重点。三星电子：8英寸SiC产线2026年三季度量产样品3月16日，据韩国ZDNet Korea报道，三星电子计划于2026年第三季度开始量产SiC功率半导体样品，相关材料与部件准备已于本月正式启动。

近日，碳化硅模块赛道再添一笔重磅融资。“行家说三代半”获悉，无锡利普思半导体有限公司刚完成新一轮融资，金额高达亿元。这是利普思自成立以来第5次获得重要资本加持，本轮融资由扬州国金、龙投资本领投。本轮融资标志着利普思进入规模化发展的新阶段，融资资金将主要用于扬州生产基地产线投产、新一代SiC模块产品的市场拓展，将加速推动SiC模块在新能源汽车、AI数据中心等高增长市场领域的规模化应用。

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回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为斯达半导体汽车事业部总裁刘志红、快克芯装备SiC封装设备产品总监吉钦锋。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。