日前，【2025行家说三代半年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛】成功在深圳举办。（点击查看）除现场的主题报告外，本次会议最瞩目的环节当属圆桌论坛——集结了11位C-level高层，主要围绕“2025年碳化硅行业总结”的主题进行讨论：中车时代半导体副总工程师李诚瞻：从6英寸到8英寸，SiC迎来2.0时代。

近日，宁波比亚迪半导体有限公司对外公示了新型功率半导体芯片产业化及升级项目竣工环境保护验收相关文件。其中透露，该项目具备SiC新型功率半导体芯片及其它产品（含TVS、SBD、PD、CMOS等）24万片/年的产能，并已通过验收。接下来，围绕比亚迪的SiC项目建设、SiC产业布局进展，本文将展开进一步报道。

近日，SiC键合衬底领域迎来新突破，2家企业相继公布其新进展：青禾晶元：成功研发出大尺寸4H/3C-SiC单晶复合衬底，电阻率降至0.39 mΩ•cm；住友金属：键合碳化硅衬底已被用于开发MOSFET器件，8英寸产线预计2025年末投产。据“行家说Research”调研发现，目前国内外已经有多家厂商在SiC键合衬底方面取得了技术突破，主要代表有青禾晶元、住友金属子公司Sicoxs、Soitec等，且这三家企业都在积极推进8英寸产品量产，随着工艺成熟，键合衬底或将迎来更大发展窗口。

临近年底，不少SiC企业在订单/产品交付上迎来新进展：晶盛机电：12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付；国基南方：碳化硅MOSFET系列产品成功通过国际客户的认证，斩获批量订单；芯塔电子：碳化硅MOSFET成功实现向华南某大型集中式光伏电站大批量交付。

12月以来，安森美在氮化镓领域动作频频，吸引了业内广泛关注。12月19日，安森美官宣与格罗方德（GF）达成合作，聚焦智能电源领域，双方将共同研发并制造下一代氮化镓功率器件；12月4日，安森美官宣与英诺赛科签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科的8英寸氮化镓硅基工艺，以扩大GaN功率器件的生产规模。

SiC技术重磅突破！瀚天天成全球首发12英寸碳化硅外延晶片。相较于当前主流的 150mm（6 英寸）碳化硅外延晶片，以及尚处产业化推进阶段的 200mm（8 英寸）产品，300mm（12 英寸）晶片凭借直径的显著扩容，在相同生产工序下，单片可承载的芯片（器件）数量实现大幅提升 —— 较6英寸晶片提升至4.4倍，较8英寸晶片提升至 2.3 倍。

近日，碳化硅领域再迎资本加码，4家处于产业链不同关键环节的企业先后宣布获得融资。悉智科技：完成2.5亿元Pre-A轮融资，并预计2025年车规级主驱碳化硅模块实现销售额近2亿元；积塔半导体：完成新一轮增资扩股，注册资本增至约179亿元；硅酷科技：获得芯联资本战略投资，IGBT/SiC功率模块贴片机与芯联集成达成合作；

随着AR眼镜市场的爆发式增长，光学级碳化硅作为关键衬底材料的需求日益凸显。目前，碳化硅透光率等技术难题已基本攻克，但实现光波导所需的TTV≤1μm却成为行业难以逾越的技术壁垒。近日，行家说了解到，矽加半导体凭借创新的切磨抛一体化方案，成功将8英寸光学级碳化硅TTV稳定控制在1μm以内，并实现稳定量产。据了解，这一突破性技术已被国内多家头部衬底厂率先导入，正加速碳化硅在AR眼镜领域的产业化落地。与此同时，矽加半导体在12英寸碳化硅加工上也做好了充足的技术储备，为产业未来升级铺路。

近日，“行家说三代半”发现有2个100万只SiC模块项目迎来新进展：基本半导体碳化硅模块封装产线建设项目：完成设备进场，位于广东中山，总投资2.2亿元；车规级功率半导体模块生产制造西南总部基地项目：完成项目签约，正式落户四川内江，总投资3亿元。

随着新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域需求的持续高速增长，未来几年全球碳化硅功率半导体市场规模将实现快速增长。据行家说Research预测，2030年全球SiC功率半导体产值将超过100亿美元，而未来产业的发展需要依托上游碳化硅衬底和外延核心材料的持续稳定供应。

目前，氮化镓技术正以高功率密度、低能耗、快响应等核心优势，打破传统技术瓶颈，成为驱动机器人领域产业升级的关键引擎。近期，步科股份、求远电子、固高伺创、科沃斯、世强硬创、新工绿氢等企业纷纷加码氮化镓技术研发与落地，在各自细分赛道交出创新答卷。

年底将近，又有两个SiC衬底相关项目在加速推进。据“行家说三代半”不完全统计，截至目前，今年已有14个SiC衬底相关项目逐渐落地（详看下文）。东海科技：推进8英寸SiC衬底项目建设12月15日，据准格尔旗发布官微信息，当地旗委书记王国泉已与内蒙古东海科技碳化硅项目负责人李波一行座谈，双方就项目推进的时间节点和具体问题进行深入沟通并达成共识。

11月初，东莞南方半导体科技有限公司车规级功率半导体检测中心又传捷报，暨8月份CNAS年度评审顺利通过后，依据2025版碳化硅模块车规级检测标准AQG324，DRB（动态反偏）和DGS（动态栅偏）两个新测试项目被正式纳入检测中心CNAS认可范围，成为首家开展此项业务的CNAS认可实验室。据悉，在第三代半导体产业快速发展的当下，东莞南方半导体科技有限公司扎根松山湖，以厚实的技术积累和开放合作的业务布局，为产业链提供专业检测服务，助力行业高质量发展。

近日，碳化硅技术领域又迎来两项重要突破：超芯星：发布560W/mK高热导率方形碳化硅散热晶片；日本Oxide、名古屋大学等：利用液相法制备6英寸P型碳化硅衬底、6英寸及8英寸N型碳化硅衬底。超芯星：发布方形碳化硅散热晶片近日，超芯星在官微透露，他们正式推出方形碳化硅散热晶片。该产品在延续 560W/mK高热导率性能基础上，以形状革新为核心突破点，针对性解决传统圆形碳化硅衬底在先进封装中面临的边缘利用不足、热分布不均等问题，为半导体散热领域提供新的技术方向。

12月15日，智新科技在官微透露，随着岚图泰山、岚图追光L等新车型接连登场，市场热度和工厂产量持续攀升，带动了对智新科技变速箱工厂新能源车间纯电L6线所生产的SiC电驱——iD4-200电驱动总成的迫切需求。面对激增的市场订单，智新科技纯电L6生产线在短短数月内实现日产量的 “三级跳”：从年中的400余台，到9月提升至600台，11月突破800台，再到近期成功跨越 875台大关。目前，该生产线的单月交付能力已超过2万台，为整车企业保供提供了坚实支撑。

近日，英诺赛科（Innoscience）在氮化镓(GaN)功率器件领域取得重要技术突破，关键创新方向上捷报频传。由英诺赛科技术团队主导、联合香港大学张宇昊教授课题组合作完成的研究成果，成功入选 2025 年 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2025）。与此同时，英诺赛科与该课题组联合发表的另一项研究工作，荣获 IEEE ECCE 2024最佳论文奖，充分彰显了英诺赛科在功率半导体器件及电力电子系统层面的国际领先实力。

随着 800V HVDC架构浪潮奔涌而来，碳化硅和氮化镓头部企业正重兵集结，强势切入数据中心电源赛道。这片潜力十足的市场，已然跃升为第三代半导体行业新一轮的竞逐高地。今年10月，英伟达公布了最新一批800VDC数据中心系统合作名单，罗姆半导体作为功率半导体器件代表厂商入选该名单。

昨天，又有一家企业宣布将要建设8英寸GaN/SiC晶圆制造工厂，不过，该晶圆厂生产的不是SiC功率器件或者GaN射频器件，而是光子集成电路或GPU处理器。据“行家说三代半”推测，这个项目有机会在多个环节中导入SiC和GaN，潜在市场规模约200亿元：

通过氢离子注入与晶圆键合的精妙结合，Smart Cut™技术正从单一的硅基材料向更广阔的化合物半导体、压电材料、光学晶体等多元材料体系拓展。随着5G/6G、光通信、量子计算等技术的飞速发展，单一硅材料已无法满足所有性能极限需求。市场对"在特定衬底上集成各种功能单晶薄层"的渴望日益迫切，推动着Smart Cut™技术的应用边界不断拓展。

近期，韩国东部高科、韩国政府公布了多个碳化硅扩产/量产计划，总投资超7.6亿元。东部高科以超5.7亿元扩大SiC产能12月10日，在韩国政府举行的“韩国半导体愿景与推进战略报告”会议上，韩国东部高科（DB Hitech）CEO赵基硕表示，他们需要扩大碳化硅产能，以响应市场需求，并请求政府支持扩大8英寸碳化硅产能并开发下一代功率半导体。