1万伏！！国产GaN又创全球最高记录最近，苏州晶湛半导体官网宣布，其最新研发的GaN器件创造了一个新纪录——击穿电压超过了10kV，“这是迄今为止全球最高值”。更为重要的是，该器件的GaN外延结构是基于蓝宝石衬底，因此制备成本比SiC便宜2-3倍。晶湛认为，这项突破有助于氮化镓打入电动汽车、电网和轨道交通等高压应用领域，具有广阔的潜力。

阈值高达8.4V！GaN又破解一项难题6月8日，南方科技大学在官网宣布，他们研发的GaN器件取得了突破性进展——成功将器件的阈值从1.7V提升到8.4V，解决了阈值低和阈值不稳定问题。而有了这项技术，氮化镓有望能够采用通用型驱动器，而无需定制驱动器，可以提高安全性，降低整体成本，将进一步推动氮化镓的普及。

超灵敏光探测器采用阶梯效应以下文章来源于化合物半导体联盟 ，作者化合物半导体杂志

10000V！氮化镓功率器件击穿电压新纪录 收录于话题 #GaN 32个

安森美半导体推出全碳化硅MOSFET模块解决方案！用于电动汽车充电6月7日，安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一对1200 V全碳化硅(SiC)MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其产品系列，从而适应充满挑战的电动汽车(EV)市场。

今年获补已超10亿！三安光电再获“红包”，加码碳化硅今日，三安光电发布公告称，根据公司与长沙高新技术产业开发区管理委员会签订的《项目 投资建设合同》。长沙高新技术产业开发区管理委员会同意按合同约定拨付其全资子公司湖南三安半导体有限责任公司（以下简称 “湖南三安”）设备购置产业扶持资金2亿元。

露笑科技，三安光电等百亿级第三代半导体项目传来新进展！来源：化合物半导体市场 Amber近日，各地第三代半导体项目动态连连。露笑科技，三安光电等企业百亿级第三代半导体项目纷纷传来新进展！01露笑科技100亿碳化硅工厂，设备入场安装近日，露笑科技针对互动平台投资者关于“合肥碳化硅工厂进展”的提问表示，“公司在第三代半导体碳化硅这个颠覆性材料的技术方面取得突破，目前设备已经开始安装调试。”

GaN射频需求超150亿！Cree/恩智浦/II-VI等加速扩产、整合最近，Yole发布报告预测，2020年GaN RF市场规模为8.91亿美元（约57亿人民币），2026年将达到24亿美元（约153.6亿人民币），2020-2026 年复合年增长率为18%。

氮化镓竟能打败俄罗斯导弹？有视频有真相最近，据国外媒体报道，土耳其无人机连续2次击退了俄罗斯拦截导弹，引起了全球对反导弹系统安全性的担忧。据专家分析，该无人机采用了基于氮化镓的电子对抗措施。与此同时，为了对付无人机的威胁，全球各国开始利用氮化镓来反制无人机，甚至氮化镓还可以禁用军队车辆、攻击人类。

雷神公司与GlobalFoundries合作开发新的GaN-on-Si工艺 收录于话题 #GaN 31个

EPC 板提供一流的功率密度以八分之一Brick的大小提供四分之一Brick的功率，可以提供 1 KW 的功率EPC 已宣布推出 EPC9149，这是一款具有 1 kW 能力的 48 V 输入至 12 V 输出 LLC 转换器，可用作转换比为 4:1 的直流变压器。该演示板具有 100V EPC2218 和 40V EPC2024 GaN FETs。

常州之后是绍兴！宽禁带半导体国家工程研究中心再下一棋6月7日，绍兴滨海新区管委会与西安电子科技大学举行合作签约仪式。双方将共建宽禁带半导体国家工程研究中心绍兴分中心，并联合开展化合物半导体人才培养。详细来说，此次合作双方将在宽禁带半导体国家工程中心建设、绍芯实验室设立等方面开展全面合作，充分发挥西安电子科技大学在化合物半导体领域的优势，与绍兴本地高校、企业等联合开展化合物半导体人才培养。

布局第三代半导体刻不容缓！第三代半导体材料是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业，是国家新材料发展计划的重中之重。“十四五”期间，我国将在教育、科研、开发、融资、应用等方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业快速发展。在应用升级和政策驱动的双重带动下，我国第三代半导体产业将迎来发展热潮。

三安、中科钢研等项目即将投产！全国衬底产能超过200万片/年？今年6-8月，三安光电、天达晶阳、中科钢研和同光晶体的碳化硅衬底项目有望投产。今年上半年，中科钢研、东尼电子等10家企业正在加码推进碳化硅项目建设。据“三代半风向”不完全统计，目前全国公开报道的碳化硅晶体和衬底项目合计超过43个，总投资额超过512亿元，宣称产能合计超过200万片/年。

打破全球记录！SiC又突破一项难题最近，英国华威大学公布了一项新的碳化硅技术突破——他们采用超结SiC SBD，实现了2045V击穿电压，同时导通电阻仅为0.73mΩcm2，打破了日本的最低导通电阻纪录。同时，华威大学还发明了新的制造技术，解决了超结SiC的制造难题（瀚天天成也有类似突破），未来将帮助碳化硅加速替代硅基IGBT等功率器件。

露笑科技，三安光电等百亿级第三代半导体项目传来新进展！近日，各地第三代半导体项目动态连连。露笑科技，三安光电等企业百亿级第三代半导体项目纷纷传来新进展！01露笑科技100亿碳化硅工厂，设备入场安装近日，露笑科技针对互动平台投资者关于“合肥碳化硅工厂进展”的提问表示，“公司在第三代半导体碳化硅这个颠覆性材料的技术方面取得突破，目前设备已经开始安装调试。”

布局第三代半导体刻不容缓来源：MEMS | 作者：李龙第三代半导体材料是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业，是国家新材料发展计划的重中之重。“十四五”期间，我国将在教育、科研、开发、融资、应用等方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业快速发展。在应用升级和政策驱动的双重带动下，我国第三代半导体产业将迎来发展热潮。

78万片/年！英诺赛科8寸氮化镓线量产，还宣布2件大事近日，英诺赛科宣布苏州8英寸氮化镓项目正式量产，达产后年产能为78万片，形成2大生产基地，“做好了全面准备去迎接氮化镓时代的到来。”英诺赛科已经成为全球氮化镓出货量Top3企业，2020年4季度出货量达数百万颗，累计出货量已超1500万颗，已经在快充、激光雷达和数据中心等领域实现了氮化镓芯片的国产化替代。在严重“缺芯”的情况下，氮化镓供货周期高达280天，英诺赛科新工厂的量产将有效解决企业的燃眉之急。

近3.8亿补贴！GaN和SiC快来申请最近，科技部发布了“十四五”重点专项2021年度项目申报指南通知，其中，“新型显示与战略性电子材料”重点专项主要围绕第三代半导体等3个技术方向，拟启动25 项目，拟安排国拨经费3.79亿元。其中，与GaN和SiC相关的项目主要有下面6个，包括大尺寸SiC单晶衬底、GaN单晶新生长技术等。

全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业诞生！英诺赛科苏州一期产线正式投产6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺赛科”） 8英寸硅基氮化镓芯片量产仪式在江苏汾湖高新区举行。这标志着英诺赛科成为世界上第一家实现8英寸硅基氮化镓（GaN）量产的企业。