从MOS到CMOS到门转型过渡系列第3篇如果感觉文章很长那是我们要走很远前面聊过用四个MOS可以构筑逆变器。但实际上，MOS这种开关还有更广泛的用途——计算机。计算可以拆解为门，门就是输入然后得到一定逻辑的输出。没有门的情况，就是输入0得到0，输入1得到1，同时输入01就短路了。非门就是输入0得到1，输入1得到0。或门就是输入00得到0，输入01得到1，输入10得到1，输入11得到1。与门就是输入00得到0，输入01得到0，输入10得到0，输入11得到1。异或门就是输入00得到0，输入01得到1，输入10得到1，输入11得到0。简单的加法计算器（简称加法器）就是异或门+与门，拆解方法为一个加法位、一个进位位。输入个位上的A和B，AB通过异或门得到个位，AB通过与门得到十位并送完下一个加法器。比如输入11，个位得到结果为0，十位得到结果为1。

GaN Systems与宝马签署产能协议协议保证了作为电动汽车关键构件的汽车级GaN功率晶体管的产量GaN Systems与宝马集团就GaN Systems的高性能汽车级GaN功率晶体管签署了一项产能协议，该晶体管可提高电动汽车关键应用的效率和功率密度。

提升 GaN 阻断电压以下文章来源于化合物半导体联盟 ，作者化合物半导体杂志

为世界上第一条 200mm 碳化硅中试线铺平道路摘要近年来，基于碳化硅(SiC)的电力电子行业迅速扩张，但供应商正在努力满足市场对最终设备和起始原材料的需求，如今这些原材料由直径为 150 毫米（6 英寸）的 SiC 晶片组成。为此，碳化硅电力电子领域的顶级工业企业开始着手开发直径为 200 毫米（8 英寸）的下一代晶圆。这项工作描述了最近在实施世界上第一条生产基于 200 毫米 SiC 晶片的功率器件的工业中试线方面取得的成果。特别是 200 mm SiC 晶锭的晶体生长、晶片的切片和抛光、外延层的沉积，并介绍了试点线路中的第一个测试。

英飞凌欧洲最大12英寸功率半导体晶圆厂开始量产来源：英飞凌9月17日，英飞凌宣布，其位于奥地利菲拉赫的300毫米（12英寸）薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营。这座以“面向未来”为座右铭的芯片工厂，总投资额为16亿欧元，是欧洲微电子领域同类中最大规模的项目之一，也是现代化程度最高的半导体器件工厂之一。欧盟委员Thierry Breton、奥地利总理Sebastian Kurz、英飞凌科技股份公司首席执行官Reinhard Ploss博士、英飞凌科技奥地利股份公司首席执行官Sabine Herlitschka博士共同出席了新工厂的开业庆典。

刚刚！基本半导体曝出5个大消息前段时间，基本半导体举行了碳化硅功率模块装车测试发车仪式，引起了业界热议。昨天，他们又宣布了5个大消息：▲ 完成C1轮融资，博世继续领投，将加速碳化硅研发和产业化。▲南京制造基地预计2021年底通线，主要进行碳化硅外延片的工艺研发和制造；

下一代功率半导体争夺战开打来源：半导体行业观察经过多年的研发，几家供应商正在接近出货基于下一代宽带隙技术的功率半导体和其他产品。这些器件利用了新材料的特性，例如氮化铝、金刚石和氧化镓，它们还用于不同的结构，例如垂直氮化镓功率器件。但是，尽管其中许多技术拥有超过当今功率半导体器件的特性，但它们在从实验室转移到晶圆厂的过程中也将面临挑战。

又有碳化硅充电桩项目！800V架构将起势？一周前，湖南新增了总投资60亿的碳化硅充电桩项目，并且获得了30亿订单（.点这里.）。昨天，江苏也公布了一个碳化硅充电桩项目，此外，北京、河南、河北也都有相关项目。充电桩市场有爆发的趋势，8月份同比增长66.4%，1-8月国内公共充电基础设施增量同比上涨322.3%。

千亿市值龙头碳化硅外延设备再获突破！9月16日，北方华创在投资者互动平台表示，公司碳化硅外延设备已实现市场销售，产品各项性能满足客户要求。这是北方华创在碳化硅外延设备领域的又一新突破。碳化硅晶片主要用来做成高压功率器件和高频功率器件，主要分为两种类型：导电型的 SiC 晶片经过 SiC 外延后，可制作成高压功率器件；半绝缘型的 SiC 晶片经过 GaN 外延后，可制成RF器件。

富采取得环宇近20%股权，强化化合物半导体布局富采投控昨 (17) 日发布公告称取得砷化镓代工厂环宇约19.7%的股权，其持股原由富采旗下晶电子公司掌握，但因为集团分工及策略布局需求，因此改由富采持股，也凸显化合物半导体在富采集团布局的重要性。

Tower Semi和Quintessent合作开发QD激光光子技术合作旨在创建世界上第一个集成量子点激光器的SiPh工艺，解决人工智能/机器学习和数据中心市场的光连接问题以模拟为重点的晶圆厂Tower Semiconductor和硅光子集成电路激光集成开发商 Quintessent宣布合作创建世界上第一个集成量子点激光器的硅光子学 (SiPho) 工艺，解决人工智能/机器学习和分解计算（数据中心）市场的光连接问题。

钙钛矿-硅复合材料达到近30%的效率以下文章来源于化合物半导体联盟 ，作者化合物半导体杂志

深夜重磅！Cree宣布2件大事昨天深夜，Cree|Wolfspeed对外宣布了2件大事。第一件大事——他们即将在纽约证券交易所上市。1993年，Cree在纳斯达克上市，距今已有28年。根据公告，10月1日该公司将结束纳斯达克交易，预计10月4日正式在纽约证券交易所开始交易，新股票代码为“WOLF”。纽交所是目前全球市值最大的证券交易所，上市条件比纳斯达克更为严格。

2022年十大科技产业脉动：第三代半导体朝8英寸晶圆发展！以下文章来源于TrendForce集邦 ，作者集邦咨询

山西又增2个碳化硅项目，合计8.58亿元最近，山西又有2个碳化硅项目：▲一国有企业：将建一个年产1万片6英寸碳化硅晶片的项目，总投额为3.58亿元。▲山西烁科：将投资5亿元，改造500台碳化硅长晶设备，建设5G生产线。投资达3.58亿元年产1万片SiC晶片

GaN功率器件以78%的复合年增长率增长TrendForce表示，欧洲、美国和日本控制着快速增长的GaN市场的大部分衬底供应对电信基站、转换器和充电站的需求正在创造对由第三代半导体GaN和SiC驱动的元件和器件的需求。据TrendForce称，GaN电源市场将经历最大幅度的增长，2021年的收入将达到 8300万美元，同比增长73%，令人印象深刻。展望未来，GaN功率器件的年收入预计将以78%的复合年增长率增长，并在2025年达到8.5亿美元。

大众汽车订购碳化硅？250kW、效率超95%昨天（9月15日），精进电动在世界新能源汽车大会上推出250kW碳化硅复合冷却三合一电驱动总成，据说欧洲一家头部车企已经订购。加入碳化硅大佬群，请加VX：hangjiashuo666据介绍，该系统采用精进电动的碳化硅控制器，实现了高输出功率(350V条件下半轴机械输出功率250kW)和超过95%的高系统效率。

英飞凌和松下加速GaN的发展以下文章来源于化合物半导体联盟 ，作者化合物半导体杂志

氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET来源：玩转嵌入式氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。

集微咨询：国内外SiC衬底发展现状浅析来源：爱集微集微咨询认为，新能源汽车市场对我国SiC产业的有效拉动成为行业各方关注焦点，国内新能源汽车SiC功率半导体市场也一定程度上引领全球SiC市场发展。作者｜若冰 校对｜萨米集微咨询（JW insights）认为：