2家SiC企业推出方形、液相法P型衬底
行家说三代半
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2025-12-18
近日，碳化硅技术领域又迎来两项重要突破：
超芯星：发布560W/mK高热导率方形碳化硅散热晶片；
日本Oxide、名古屋大学等：利用液相法制备6英寸P型碳化硅衬底、6英寸及8英寸N型碳化硅衬底。
超芯星：
发布方形碳化硅散热晶片
近日，超芯星在官微透露，他们正式推出方形碳化硅散热晶片。该产品在延续 560W/mK高热导率性能基础上，以形状革新为核心突破点，针对性解决传统圆形碳化硅衬底在先进封装中面临的边缘利用不足、热分布不均等问题，为半导体散热领域提供新的技术方向。
据了解，这款方形碳化硅散热晶片的核心优势集中在三大维度：
其一，具有更高空间利用率，完美契合芯片矩形布局，减少边缘浪费，提升单位面积散热效能；
其二，具有更优热流管理，热量得以更均匀、更快速地由中心向四边扩散，避免局部热点；
其三，具有更强封装适配性，尤其适合对集成度与散热有严苛要求的高功率模块、先进封装及下一代电力电子器件。
超芯星表示，此次方形SiC晶片的推出，是基于已实现的业界领先热导率基础，在产品形态与应用工程层面的一次重要开拓，标志着超芯星从“材料性能突破”到“客户解决方案深化”的迈进。
作为专注于碳化硅衬底全产业链研发与生产的企业，超芯星自 2019 年成立以来，已构建起覆盖设备、粉料、晶体生长、加工及检测的完整业务体系，并推出8英寸碳化硅衬底、低阻碳化硅衬底等产品。
日本Oxide、名古屋大学等：
利用液相法制备P型衬底
12月16日，据日刊工业新闻报道，由日本Oxide Power Crystal、名古屋大学等企业与科研机构组成的开发团队，结合名古屋大学在溶液生长法方面积累的丰富经验，成功制备出6英寸P型碳化硅衬底，同时实现6英寸及8英寸N型碳化硅衬底的技术突破。
报道进一步透露，名古屋大学此前已通过溶液生长法，探明了实现6英寸晶体生长的基本条件，他们以溶液生长法为基础技术，并运用被称为“数字孪生”的模拟技术，成功试制出6英寸P型SiC衬底和6英寸/8英寸N型SiC衬底。
具体来看，名古屋大学与Ai Crystal公司利用模拟技术，就温度场、浓度场与流场的控制方案寻求了最优条件。在此基础上，结合UJ-Crysta公司的技术经验，确立了晶体生长的基本工艺方案。然后，Oxide Power Crystal通过使用多台生长装置，成功实现了晶体生长的实验验证，并面向产业化开发了量产工艺。
Oxide株式会社成立于2000年，是由日本国立材料科学研究所（NIMS）衍生出的风险投资公司。Oxide Power Crystal株式会社于2024年10月成立，是Oxide株式会社的全资子公司，负责功率半导体材料业务。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
