2025年SiC产业洞察①：内卷与破局
行家说三代半
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2025-12-26
日前，【2025行家说三代半年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛】成功在深圳举办。（点击查看）
除现场的主题报告外，本次会议最瞩目的环节当属圆桌论坛——集结了11位C-level高层，主要围绕“2025年碳化硅行业总结”的主题进行讨论：
中车时代半导体副总工程师李诚瞻：从6英寸到8英寸，SiC迎来2.0时代。
芯干线总经理孔令涛：从汽车到消费电子，SiC渗透加速驶入快车道。
海姆希科总经理高崎哲：SiC厂商需要加快技术迭代与创新步伐。
利普思总经理丁烜明：SiC取代IGBT需要“迭代”和“坚持”。
瀚薪科技总经理李隆正：相较于价格竞争，如何解决客户的痛点、与客户共同成长、及共同开发有竞争力的产品更为重要。
中瑞宏芯半导体CEO张振中：SiC有望在电机领域实现更多突破。
凌锐半导体总经理刘桂新：SiC企业要真正把产品做好，卷出结果来。
芯粤能半导体研发副总裁相奇：2025年是国产SiC MOS登陆主驱的元年。
中天晶科副总经理罗鹏：企业注重运营效率和成本优化，SiC产品将更具竞争力。
同光半导体董事郑向光：2025年，SiC在不断扩展应用边界。
北方华创化合物行业总经理李仕群：2025年SiC行业面临了三个方面的变革——价格、市场、技术。
中车时代半导体副总工程师李诚瞻：
“从6英寸到8英寸，SiC迎来2.0时代”
谈及“2025年碳化硅行业总结”，中车时代半导体副总工程师李诚瞻从碳化硅行业的爆发开始说起：众所周知，碳化硅大约在2019年后逐渐成为行业热点。这一趋势背后的关键推动因素，普遍被认为是特斯拉在其主驱系统中采用了碳化硅器件。然而，从碳化硅全产业链的视角来看，另一个至关重要的节点是6英寸碳化硅晶圆实现量产。对碳化硅芯片从业者而言，6英寸的量产是2019年的标志性事件，它标志着行业真正跨越拐点，步入快速发展阶段。
对于2025年的重大进展，李诚瞻表示，今年的重大进展无疑是8英寸碳化硅晶圆的推进。目前，行业领先企业已逐步开始量产8英寸碳化硅晶圆。中车时代的8英寸晶圆厂今年也已实现全线贯通，预计明年初即可向市场投放量产产品。
最后，李诚瞻展望道，随着8英寸晶圆逐步实现规模化量产，必将为碳化硅产业带来深远影响。碳化硅有望由此迈入“2.0时代”，从相对单一的应用场景，拓展至全面、综合的复合型应用。“我认为这一趋势有望成为现实。”
芯干线总经理孔令涛：
“从汽车到消费电子，
SiC渗透加速驶入快车道”
芯干线总经理孔令涛对行业态势进行了概括：“在我看来，‘如火如荼’一词恰能概括2025年碳化硅行业的发展态势。”
孔令涛分析认为，自2024年起，碳化硅在汽车与光伏领域逐步落地，随后向充电桩市场渗透，如今消费电子也开始采用碳化硅器件。
他还总结道，“整体来看，碳化硅在工业、汽车、消费等领域的渗透率将持续提升。因此我认为‘如火如荼’正是对2025年碳化硅发展趋势的准确描述。”
海姆希科总经理高崎哲：
“SiC厂商需要加快技术迭代与创新步伐”
海姆希科总经理高崎哲则聚焦于市场现状。他认为：“2025年的一个关键词是价格竞争。”
高崎哲补充解释，自2024年碳化硅市场形成一定出货规模以来，随着2025年市场的进一步增长，行业利润率承受明显压力。但业内同样认为，这也是行业发展的一个重要契机。最后，他明确指出，“未来行业将步入这样一个阶段：在利润率较低的背景下，企业仍需保持价格竞争力。而这将倒逼我们加快技术迭代与创新步伐。 ”
利普思总经理丁烜明：
“SiC取代IGBT需要迭代和坚持”
利普思总经理丁烜明则认为，“SiC取代IGBT需要迭代和坚持”。
在迭代方面，他通过对国内外多款碳化硅芯片的测试观察到，SiC MOSFET芯片的迭代速度显著加快。SiC芯片制造工艺正从6英寸向8英寸迈进，12英寸的研发也已现端倪。同时，碳化硅芯片的比导通电阻（RSP）持续减小，高温下的Rdson不断降低。芯片尺寸呈现两极发展趋势，既有逐步缩小的设计，也有向更大尺寸扩展的尝试。目前，6×7mm²规格的芯片已在多个应用场景中得到广泛测试。从模块端来看，利普思也在持续推进迭代，积极引入不同封装形式，其中PCB嵌入式模块作为当前热点技术，其迭代尤为关键。
在坚持方面，丁烜明强调，“坚持是整个产业链必须秉持的态度。对利普思而言，我们始终坚持提升模块性能与可靠性。无论是汽车主驱、后续的固态变压器（SST），还是未来的氮化镓封装，都蕴含着广阔的应用前景。利普思将继续深耕封装相关材料、工艺设计与应用适配，扎实走好每一步。 ”
瀚薪科技总经理李隆正：
“相较于价格竞争，与客户的配合更重要”
瀚薪科技总经理李隆正用一个英文概括了2025年——focus（聚焦）。他从公司运营的角度指出，瀚薪对每一位成员的要求始终是“专注思考，务实行动”。这意味着无论面对任何任务，都必须先深入思考、明确方向，而后全力以赴、迅速执行。应用在瀚薪的发展规划，亦是如此。
李隆正强调了一点，碳化硅芯片要获得终端客户的采纳与认可，关键在于与客户的实际应用紧密结合。在这一过程中，封装和模块技术与碳化硅芯片的性能表现息息相关。因此，瀚薪早在2021年便建成了国内首条专注于顶部散热的碳化硅器件封装产线，至今仍在相关领域保持领先优势。
最后，他还表示，瀚薪的专长不仅限于碳化硅芯片的设计，更在于与下游客户进行深度绑定与合作的能力。瀚薪并非仅依靠价格竞争来应对市场压力，而是致力于通过与客户深入沟通、协同创新，共同面对行业挑战。“唯有如此，我们在激烈的市场竞争中稳步前行。”
中瑞宏芯半导体CEO张振中：
“SiC有望在电机领域实现更多突破”
回顾2025年的碳化硅行业，中瑞宏芯半导体CEO张振中认为，碳化硅在电源行业中的应用取得了显著突破，形成了扎实的发展基础。
那么，这一突破体现在哪一方面？张振中指出：国产碳化硅今年以来在充电桩电源领域确立了明显的发展与成本优势，并在替代硅基CoolMOS方面取得了关键性进展，具备阶段乃至决定性的应用优势。未来，其应用将向下延伸至白电、小家电等小型电源领域，向上则可持续拓展至汽车车载电源、OBC电源及其他更高要求的电源市场。由此可见，碳化硅已在电源领域开辟出巨大的市场机遇，也为厂商注入了更强的发展信心。
他进一步分析认为：在汽车主驱电机以及白电电机IPM模块等应用方面，碳化硅面临更高的要求。若要替代IGBT，仍需在成本、抗浪涌能力与短路能力等多方面持续努力。“尽管如此，我们认为在未来一至两年内，碳化硅有望在电机领域实现更多突破，进一步扩大对硅基IGBT的替代幅度。未来，我们期待碳化硅在电机市场拥有更广阔的发展空间！”
凌锐半导体总经理刘桂新：
“SiC企业要真正把产品做好，卷出结果来”
凌锐半导体总经理刘桂新则从公司发展角度分享了他的体会。据介绍，凌锐半导体在国内成立相对较晚，于2022年8月正式创立。但凌锐半导体完成了一项在行业内具有一定影响力的事：在2023年，凌锐半导体已将碳化硅MOSFET芯片的比导通电阻（Rsp）做到国内领先水平，达到2.4—2.5mΩ·cm²，超越了当时国内绝大多数厂商的量产产品。尽管今年也有部分厂商推出类似产品，但凌锐半导体的相关产品已实现近两年的量产。截至目前，凌锐的产品已广泛应用于充电桩、光伏、储能乃至消费类场景。
因此，刘桂新总结道，“我选择以‘凌云壮志，锐意进取’作为关键词，既用以自勉，也希望能激励同行。在行业竞争日益激烈的环境下，我们不应气馁，而应通过竞争推动科技进步。当前国内芯片技术与国外仍存在一定差距，我们必须持续提升技术、锐意进取，真正把产品做好，卷出结果来。”
芯粤能半导体研发副总裁相奇：
“2025年是国产SiC MOS登陆主驱的元年”
针对2025年，芯粤能半导体研发副总裁相奇提出了两个形象的关键词——哭着卷、上了车。
他解释道，“哭着卷”是因为卷的结果导致大家都不挣钱，企业很难造血且需要融资，但融资也越来越困难，所以卷是很辛苦的事情。
但从产业发展的角度而言，相奇认为，“还有一个关键词是‘上了车’，今年是我们国产碳化硅MOSFET芯片‘上车’的元年。我这个‘上车’是指进入电驱动，虽然量还不够大，但也算是一个里程碑的事件了。 ”
中天晶科副总经理罗鹏：
“企业注重运营效率和成本优化，
SiC产品将更具竞争力”
结合中天晶科的发展现状及规划来看的话，中天晶科副总经理罗鹏认为，2025年的关键词是运营效率和成本优化。
他在现场分享了两个数据，一是虽然现在碳化硅材料端整体的设备产能是过剩的，但是2025年中天晶科碳化硅外延的综合设备镓动率大概在85%，所以整体的运营健康度还是不错的。
二是2019年中天晶科在投资建线的时候，90%的设备都是6&8吋兼容的，所以在6吋往8吋过渡的阶段中，公司花了很少的代价，现在已经拥有稳定的8吋碳化硅外延产能。
罗鹏总结道，在高效的稼动率和高效的运营效率下，中天晶科接下来能够持续给客户提供有竞争力优势产品。
同光半导体董事郑向光：
“2025年，SiC在不断扩展应用边界”
同光半导体董事郑向光则观察到了行业的新变化。他认为，自2023年以来，内卷是始终贯穿着碳化硅产业的一大话题，但在2025年发现了一个变化，如果用关键词来形容的话，就是“内卷中的变局”。
“2025年，SiC在不断扩展应用边界”。郑向光进一步解释道，今年，碳化硅在应用端第一次出现了历史性的里程碑式事件，即横跨不同的应用领域。 之前碳化硅衬底的应用一直是处在通信、能源的范畴当中，但如今碳化硅已经被导入AR眼镜应用，里程碑式的事件是2024年9月份Meta发布了新的AR眼镜产品（该产品采用了碳化硅光波导镜片）。
他还提及了人类第四次工业革命，如智能体引发的变革。“我们认为这样的变革方向是确定的、持续的以及紧迫的。自从Chatgpt出来之后，人工智能体讨论度非常高，我们对碳化硅新的应用方向非常看好，也期待碳化硅行业有更多的应用领域出现。”
北方华创化合物行业总经理李仕群：
“2025年SiC行业面临
三个方面的变革——价格、市场、技术”
“我想用‘变革’形容这一年”，北方华创化合物行业总经理李仕群表示。接着，他便从多个维度总结了2025年碳化硅行业的变革：
首先是价格的变革。他认为，不管是从碳化硅装备、材料到器件，厂商真的感觉到了价格如过山车般的下跌，但这是一种良性变革，是从量变到质变的过程，这个转变也一定会推动国内碳化硅和氮化镓产业生态的独立自主，从而进一步走向全球。
其次是市场的变革。在他看来，碳化硅和氮化镓的市场空间非常广阔，之前氮化镓的应用一直局限在快充，而碳化硅一直在卷新能源汽车，但是今年看到很多的应用场景陆续打开，像光伏、PD快充、人工智能、机器人等，推动着整个市场机会无限放大。
最后是技术的变革。李仕群分别从衬底、外延、器件的角度分析：碳化硅衬底方面，正在从6吋良率不断提升到8吋走向成熟稳定，同时也有很多优秀的衬底企业在做12吋的验证和布局；碳化硅外延方面，北方华创做了一些符合国际的大规模量产的双腔式水平架构外延设备研发，又做了垂直多片架构的外延设备研发；碳化硅器件方面，北方华创和很多优秀头部客户合作，实现了从碳化硅SBD转向MOSFET，又转向超结MOSFET器件结构的研发。尤其在器件研发中，北方华创一直在探讨很多器件端的know-how问题。
“整体来看，我相信陆续的变革会推动产业的进步。”
以上是本次圆桌论坛的第一篇报道，下一篇内容将为大家带来上述嘉宾对于碳化硅未来5年的发展研判。此外，“行家说三代半”2026《行家瞭望》栏目也即将上线，众多行业大咖将参与分享第三代半导体的产业洞察和真知灼见，更多精彩，敬请期待！
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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