2个SiC项目推进，总投资达7.6亿
行家说三代半
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2025-12-15
近期，韩国东部高科、韩国政府公布了多个碳化硅扩产/量产计划，总投资超7.6亿元。
东部高科以超5.7亿元
扩大SiC产能
12月10日，在韩国政府举行的“韩国半导体愿景与推进战略报告”会议上，韩国东部高科（DB Hitech）CEO赵基硕表示，他们需要扩大碳化硅产能，以响应市场需求，并请求政府支持扩大8英寸碳化硅产能并开发下一代功率半导体。
会议现场，赵基硕还透露东部高科的投资计划：目前，东部高科正在投资1200亿韩元（约合人民币5.73亿）开发碳化硅工艺，目标是在2026年底前完成开发；未来5年，东部高科还计划1.5万亿韩元（约合人民币71.63亿），用于扩建洁净室设施、扩大高功率BCD工艺产能，并建立碳化硅（SiC）量产系统。
赵基硕强调，韩国建立碳化硅量产体系迫在眉睫，需要韩国政府各部门的积极支持，如果韩国政府正在设立的150万亿韩元（约合人民币7162.51亿）的国家增长基金，那么希望它能考虑投向东部高科。
据“行家说三代半”报道，东部高科早在今年2月就通过全自主工艺实现了8英寸SiC晶圆的生产与验证。据悉，东部高科是一家专门从事8英寸代工的公司，其目前拥有两座8英寸晶圆代工厂，一座Fab1位于韩国京畿道富川市，另一座工厂Fab2位于韩国忠清北道Eumseong的Sangwoo园区。
韩国政府拟投资1.9亿元
建立8英寸SiC示范晶圆厂
同日，在“韩国半导体愿景与推进战略报告”会议上，韩国政府宣布了中长期战略，计划到2047年投资约700万亿韩元（约合人民币3.34万亿），在龙仁打造全球最大的半导体产业集群，并新增10座晶圆厂，使晶圆厂总数达到37座。
此外，韩国政府正在打造连接龟尾、庆尚北道、釜山和光州的“南部半导体创新带”，旨在分散目前集中在首都圈的半导体基础设施。具体是通过把龟尾打造成为材料和零部件中心，把釜山打造成为功率半导体中心，把光州打造成为先进封装中心，从而创建新的生产基地。
其中，釜山还计划投资400亿韩元（约合人民币1.91亿），在2028年前建成一座8英寸碳化硅示范晶圆厂。韩国政府明确表示，将大力支持碳化硅和氮化镓等先进材料生产设施的投资。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
