因为到现在为止还没有看到任何使用Micro LED的显示应用，所以这个问题比较不好回答，我先给你科普一下显示的一些常识，这样你就可以了解的比较清楚了，目前LCD或OLED高清显示器，解析度为432ppi(Pixels per inch)，以OLED为例，它的像素间距大小大约是118um*118um（微米），RGB子像素（sub-pixel）在红R与蓝B的大小是27um*27um,绿G是19um*19um，所以我想对micro LED来说，它的尺寸应该在20um*20um~30um*30um之间是比较合理的，因为这样的尺寸已经超出传统LED芯片制程的能力（目前能做到最小的芯片尺寸大约是125um*100um），所以要做到Micro LED这样的尺寸难度不是我们做LED的人可以想象。 至于多大间距算是微距？我想跟你想要的解析度有关系，以目前人类最低要求至少要160ppi的话，它的像素大小是160um*160um，这应该是我们能接受最低的要求吧！ 最后给你PPI的计算公式与各种不同PPI显示密度示意图你就可以了解的比较清楚了》 PPI的公式 不同PPI的示意图

像素点距300微米以下都可以算Micro-LED, 没有最小的下限，可以是几十微米，几微米，亚微米，纳米级都可以

虽然这个问题已经有几位非常专业的Micro LED行家回答了，烫哥还是帮大家归纳几个方向，整理成一个表格，希望能帮助大家更容易、快速地了解小间距、Mini LED与Micro LED的关系与差异。

(1) 我把奈米結構的LED(管他叫NanoLED/Nanowire LED/Nanorod LED..)和Planar結構的傳統LED視為不同的陣營，有沒有一脈相承？一脈肯定是沒有的，相承還有一點機會，以像素化的角度來看，至少驅動電路的邏輯(定電流)有機會沿用，封裝(這裡指顯示器封裝，非LED封裝)的光學也有機會沿用，Mass Transfer的部分不相容，這個很值觀，長晶的邏輯恐怕要讓上游的專家來評斷，我估計也是兩碼子事。 (2) 小尺寸能做不代表大尺寸能做，在顯示器的世界裡，反而往大做比較難的例子較多，你從Uniformity跟直通率的角度去思考就很好理解，尤其Nano Wire的Uniformity..... (3) 最近被google臨幸的GLO囉，其他我有印象的還有Aledia/Osram，研究機構就不勝枚舉了。

小间距屏一般是采用传统的LED封装技术如SMT或SOB来组装LED屏幕。而对于microLED, 由于芯片尺寸较传统的LED芯片小得多，通常几十个um甚至几个um, 采用传统半导体芯片封装技术已无法实现。在这种情况下，必须要发展全新的组装技术，比如苹果的microLED巨量组装和转移技术。因此，笔者认为microled技术不是小间距技术的取代，也不是简单的升级，而是微型半导体芯片组装技术重大的革新。

现在关于显示技术的信息很混乱，每一件关于Micro LED的小新闻都会牵动LED与显示从业者的心，这家公司叫Glo，是瑞典的公司，一直使用硅衬底生长纳米管LED的结构，也许这是另一个Micro LED工艺的思路，这样的工艺也许可以解决巨量转移与红绿蓝不同材料的匹配问题，但是良率会是致命的问题，蓝宝石衬底已经有良率问题了，硅衬底相比蓝宝石衬底，良率会比较差。 我一直说过，目前Micro LED会成为大厂关注的显示技术方向，主要还是韩国掌握了OLED资源，最近的iphone8已经全部是OLED屏了，传言的iwatch要用micro LED也落空了，我认为只要OLED一直被韩国人掌握着，Micro LED的新闻会一直持续下去，因为全世界都不喜欢韩国人垄断，尤其是三星。 能不能加速Micro LED的进程？答案当然是可以，只是你会感觉不出来，因为还要很久很久。 这个回答当一个见证吧，我预测当中国大陆的OLED可以跟韩国抗衡的时候，Micro LED估计就没什么新闻了，你说什么时候呢？我认为大约是2020年左右吧！

直接的加速我覺得沒有，間接的加速可能有。 先說兩個重點，1.Glo是搞Nanowire的，跟現在主流Planar Structure的LED完全就是不同路線；2.Glo是走超高PPI路線的Micro Chip，驅動的背板是CMOS邏輯電路， 合作提供Silicon Wafer的是台灣的JDC(技術負責人Steve曾在行家說沙龍與大家見面)，這與Glass-base或PCB-base的應用又是不同路線了，主要在微顯影。 直接的加速為何沒有？因為這條路線跟我們平常在聊的RGB批次Transfer弱相關，一邊是一兩吋以下的微晶片，一邊是五吋以上的消費電子，故事不同，背板不同，光源製程不同，Transfer(Bonding)方式不同，可互通的東西少。 為什麼間接的影響有？其實你的問題就是答案了。因為對大部分人來說，管他什麼複雜的技術背景，反正都可以叫Micro LED嘛，這個故事的白話解讀就是「Google也對Micro LED投了信任票，加入Micro LED的發展陣營」，到時除了Sony跟Apple外，至少多了一個巨人可以說嘴了，你懂的，所以我覺得商業上對Micro LED而言總歸是好事。

大公司都有自己的专利布局，苹果不只是布局Micro LED专利，所有芯片技术、显示技术与作业系统的高科技领域，他们几乎天天在布局他们的专利，为什么会有这个新闻？ 继续炒热Micro LED的新闻对他们显示供应链的谈判有帮助，估计他们现在正在跟三星谈判AMOLED面板的供应与价格，这样对谈判比较有帮助。 当然最近媒体也没有什么关于LED新技术的新闻了，这样的新闻对LED有比较好的振奋作用，也可以给从事LED技术的人多一点技术新知。 但是千万不要错把冯京当马凉，这只是苹果Micro LED专利布局之一，苹果养这么多研发人员，肯定要对公司有贡献，专利就是体现他们KPI最好的方法，不过专利这种东西有点乱枪打鸟，求精而不求多，关键专利只要一两项就致命了，其他都是备而无用的专利，只能在介绍公司的时候显摆一下有多少专利或是当做公司的技术防御保护伞。至于这个专利，我觉得不只是Micro LED用的到，其它显示技术也应该有同类的专利，这篇专利应该是围绕Micro LED衍生出来的专利，价值估计不高，也不是核心专利，至于未来是否有用，也许Micro LED可以量产之后才能看出来。

你好，我是史大嬸，micro LED的定義還不統一，應用範圍也很大，關於散熱，關鍵不在他有多micro，而是在於電流密度跟燈珠pitch，內部散熱跟外部散熱的道理在哪裡都一樣，所以應用需要多少單位面積的亮度？要用多少面積的LED去產生足夠的光？載板的導熱好不好？決定了有沒有散熱的問題。 對一般消費用平面顯示器來說，散熱在大多數情況不是top priority ，畢竟可以用極低的電流達到額定亮度，除非用極致小的「佔像素比」去實現，那就是外話了。 如果是公共顯示，散熱問題還是有的，比如，如果你同意CLEDIS是micro LED。 為何很少聽到人討論？這個問題問的巨好，除了上述理由外，還有個原因是因為要處理的事情太多了，光要把它擺好擺滿就折騰死了，現在擔心散熱幹嘛？好比你剛生了個娃，就開始幫他找就業輔導跟婚姻諮詢了，若不是太天才，就是太搞不清楚輕重緩急。 所以散熱重不重要？well...in general，我會說「還沒到可能重要的時候。」

现在Micro LED这项技术谈的人多，做出来的少，除了芯片段的切割与外延，最核心的巨量转移问题目前都还只是一个工艺与技术的可行性研究，更别说如何应用在产品上了，至少我目前还没有看到哪种显示器有用Micro LED。 我上周从韩国回来，根据我的了解，韩国已经押宝在OLED了，而且目前看来也相当成功，因为他们已经把它应用在中小显示器了，现在要解决的只是良率与相应的成本偏高的问题，我相信OLED要再更上一层楼只是时间问题，我认为OLED之后的下一代显示技术是电激发量子点技术，工艺与技术跟OLED相近，他们也做好了相应的技术储备，至于Micro LED，我相信韩国是不看好的，他们只是买个保险，「滚轴转写」(Roll to Roll Transfer)制程技术就是他们买的保险之一，之前韩国人也接触李允立博士的錼创（Play Nitride）科技，原因也是如此。 我认为未来五年的显示技术一定是4k与8k液晶，OLED与量子点，Micro LED还要很久，只是大家不想让韩国独大，喊一下也许可以壮壮声势，吓吓韩国人，不要让韩国人赚太多，结果就是韩国人紧张一下买个保险，于是就有这个新闻出现了！

其实日韩的micro LED进度比一般人的想象或是印象要快。三安的态度当然也是非常积极。前景可以说是非常好，只是各家各显身手，拭目以待是现阶段最好的诠释。

Micro-LED要求外延片更均匀，Defect density 越低越好，Particle越少越好，波长shift越小越好，总之各方面的要求是要超越照明用LED的生长工艺条件的。

你這個問題很難在沒有圖片沒有輔助教材的情況下說通透，但我還是嘗試一下吧，目前為了轉移比傳統真空吸嘴還小的LED，思考的方向主要有三大力：「靜電力」、「凡德瓦力(黏力)」、「磁力」，磁力比較少人在討論，靜電力以被蘋果併購而聞名天下的Luxvue為首，其他還有如Mikro Mesa這樣的新創黑馬，優點是比較能做到精密控制，但是必須躲過Luxvue天羅地網的專利圍牆；然後是百家爭鳴的凡德瓦力，普遍使用PDMS當作轉移材料，代表的是從伊利諾大學spin-off出來的X-Celeprint，其他在玩巨量轉移的面板廠跟設備商根據我的不完全統計，七八成都是往這個路線走，靜電力與凡德瓦力儼然已成Mass Transfer兩大派，也有往更天馬行空路線走的，比如雷射微手術、水淹龍山寺(e-Lux)...等等，也許可以解決巨量轉移transfer head的面積限制，這些技術能不能成功，不是我的能力可以評斷的，即使以現在的思維看這些前端技術覺得像鬧劇，但也許最後改變產業格局的就是這些火星技術。最後，也有想直接跳過巨量轉移的陣營，比如美國的Lumiode，這個改天另開新文吧(我覺得我好像欠債越來越多了)。 或是你可以找我喝咖啡，我這個人特別不矜持，只是有點忙而已。

不是“改用“喔，這條技術路線本來就存在，甚至可以說比on Glass更早，對PPI超高的應用（比如AR/VR、投影)來說，矽襯底是最佳選擇，因為TFT on玻璃有極限，500 ppi以上已經表示不要不要了，破千那是自虐。但是玻璃便宜啊！要做消費電子必須往玻璃走成本結構才是正確的，用矽做就連手錶大小我都覺得想太多，當然，除非搞出hologram這類的革命級應用。 所以這兩派的路線完全不衝突，高端利基與大眾消費電子，高PPI與低PPI，新市場與傳統市場，壁壘分明。

Micro LED需不需要PSS图形衬底？当然需要，为什么？我们首先要了解为什么要使用图形衬底PSS，使用图形衬底的目的除了降低衬底与外延层的全反射，让发光层的光能大部分透射这个界面增加亮度以外，利用图形衬底可以让外延底层生长沉积的机理改变使外延的位错密度降低两个数量级，这也是图形衬底的优势之一，位错密度降低可以让芯片的电性更好，良率更高，尤其是漏电的良率会比非PSS增加2~3%，micro LED牵涉到整体芯片的巨量转移，它要求转移的芯片良率要接近100%，不能有暗点或漏电芯片在里面，如果漏电或暗点比例过高，Micro LED显示屏的良率会非常低，这样的micro LED就没有意义了，所以接近100%良率对micro LED非常重要，亮度反而不是它的考量，因为不使用PSS的显示屏LED亮度已经够亮了，所以现在有很多做LED显示屏芯片的厂家，为了降低成本，除了使用铝电极以外，用平面衬底也是降低显示屏芯片成本的方法之一，这样一片两寸芯片可以降低10~15块的成本，在竞争激烈的显示屏LED市场，这也是显示屏芯片增加性价比的方向之一。最后，有没有可能用蓝宝石以外的衬底材料？我想目前应该没有，硅衬底工艺复杂良率比较低，氮化镓或碳化硅衬底也许可以比PSS衬底有更好的电性良率，但是价格太贵了，做出来的芯片可能是天价，除非这两种衬底成本可以降低，否则几乎不可能，所以对蓝绿光LED芯片来说，不论是LED或Micro LED,PSS图形衬底还是最可以接受的选择，其他的衬底，至少短期内我看不出来有可能。

很高兴跟你聊这个话题。 受苹果收购luxvue的影响，当下热门MicroLED研究主要集中在开发高解析度全彩MicroLED显示屏幕。中小高解析度屏幕有着高达数百亿美金的巨大市场，如手表，手机屏幕等。但是目前比较成熟的OLED中小屏幕技术，被竞争对手三星牢牢控制在手里。为了摆脱技术受制于三星的不利局面，苹果决定发展自己的显示技术。MicroLED在显示方面有一些天然优良特性，比如自发光，亮度高，功耗低，响应速度超快，超高分辨率等优点。因此苹果最终选择了把MicroLED作为新一代显示屏幕的心脏。 谈到MicroLED显示，就有必要介绍一下MicroLED的彩色化技术路径。 概括性的讲，目前主流彩色话技术有三种；一种是以苹果，Xceleprint等公司为代表发展起来的三基色MicroLED 巨量微组装技术，即直接通过组装三种不同发光颜色的MicroLED ， 来实现不同颜色的互混，从而实现全彩显示。另外一种是以英国mLED公司（ 我们研究团队中有曾在mled工作5年多，已被facebook收购）为代表，发展起来的单色MicroLED激发不同颜色荧光粉或量子点的技术。第三种技术是以瑞典Glo公司为代表（最近被Google注资），发展的三色发光区域选择性外延技术。即通过控制外延生长参数，直接在同一wafer 上形成不同发光颜色的区域。这些技术各有利弊：三色MicroLED芯片巨量组装技术，目前存在着良率和坏点修复的重大难题。由于动辄搬运数十万个被头发丝直径还小的MicroLED芯片来组装到驱动面板上去，不可避免的会带来一些组装过程中的出现的坏点；单色MicroLED 激发荧光粉技术有效避开了巨量组装MicroLED芯片难题，但目前还存在颜色转换效率比较低的问题，如何高精度集成量子点或荧光粉也是苛待解决的问题；三色发光区域选择性外延技术，则避免了MicroLED组装和集成荧光粉难题。但该技术最大局限在于GaN材料体系不适合生长红光材料-尽管GaN蓝光和绿光材料很成熟，GaN 红光材料是非常困难的，发光波长极易向短波漂移，因此没有商业化GaN红光材料。 那么，作为广东省的产业技术研究院，我们应该怎么考虑发展我们自己的MicroLED技术呢？我觉得应该考虑一下几个方面吧 首先，发展MicroLED技术，首先应清楚我们自己的市场定位，走最适合我们的路，寻找新的MicroLED市场增长点。的确，MicroLED在中小高解析度屏幕有着巨大市场。但我们是不是也要像众多公司一样，一窝蜂似的都瞄准这个市场呢？ 答案是否定的。其实MicroLED技术有很多其它应用场合，甚至有些场合不需要全彩MicroLED显示，只需单色显示技术就可以了。MicroLED显示技术在光刻，导航，航空，通讯，神经医学等领域，均有望得到应用。 比如本人在mLED工作时，就率领团队研发出一些基于单色MicroLED的 无掩模光刻系统样机，扫描仪样机，荧光寿命分析系统等。我们应当保留我们在这些领域里的优势，继续研发单色miroled原型产品。 其次，发展MicroLED技术，应该有非常清晰的roadmap和阶段性目标。比如初期阶段，掌握核心单色显示技术和相关应用型产品的开发，抢占单色显示这些还未被业界重视或者意识到的市场。下一个阶段则是在单色技术基础上，过渡到全彩显示，发展自己的全彩显示核心技术。 再次，发展MicroLED技术，我们应注重知识产权的保护，考虑比较周全的专利布局。比如就全彩化而言，基本上不外乎上面提到的三种全彩化技术路径。但是，具体实施的工艺流程，或者某一种工艺流程里的某个关键步骤，都有文章可做。比如MicroLED其它的组装技术，量子点或荧光粉的集成技术，以及如何提高颜色转换效率的技术，都有申请专利的可能。专利布局方面，不仅仅示围绕着MicroLED 芯片工艺，而是要从显示芯片的全局出发，在MicroLED 外延，芯片工艺，组装，驱动，封装等各个领域，均申请相关专利。 最后，发展MicroLED技术，我们应注舆论导向，宣传，以及重外部合作。Microled显示如今非常火热，造成国内一些企业盲从跟进，但不知该技术却非常复杂。作为广东省的产业技术研究院，我们有责任帮这些企业正确引导他们做正确的投资或发展规划，以及技术评估。Microeld显示是一个复杂的系统，依靠单一的技术力量很难完成。而是要聚集外延，芯片工艺，组装，驱动，封装等各个领域的人才和技术力量。有句话说的好，“找专业的人，做专业的事”。 广东省是LED大省，在MicroLED技术发展的某些环节，一些兄弟单位还是颇具实力，能够提供相当大的技术援助的。比如晶科电子，国星光电，德豪润达等。联合这些传统LED大厂，以及一些老牌显示巨头，如TCL，华星光电等，建立微LED显示技术联盟，是我们应该考虑的一个重大举措，从而共同推进微显示在国内特别是广东省发展的大好局面。

华灿目前与多家厂商在联合开发应用于不同终端的Micro LED，由于涉及到很多商务上的保密协议，在这里自然也不能透露过多。那么对这个问题最好的回答只有三个字，进展中。 行家说作为干货的集散地，仅仅这三个字的回答，只能引来疯狂吐槽。那么这里主要讲一下在芯片研发进展中我们碰到的一些问题和思考。刚开始准备要做Micro LED的时候，作为专注于做芯片的我们面临的最大的问题是我们要做出怎么样的芯片，做Micro LED芯片阵列还是薄膜的Micro LED芯片。为此我们考察了不同显示应用中所需要的显示面积以及像素总量。据此我们把显示应用分为四个象限。 第一个象限需要比较大的显示面积以及比较多的像素总量，代表应用为电视，电脑屏幕等。 第二个象限需要较小的显示面积以及较多的像素总量， 代表应用为VR，AR等。 第三个象限是较小的显示面积以及较少像素总量，代表应用为手表，手机等。 第四个象限是较大的显示面积以及较少的像素总量，代表应用为HUD以及透明显示屏等。 对于Micro LED芯片阵列，可能更加适用于高像素密度的小屏幕应用，也就是第二象限。对于薄膜的Micro LED芯片更加适用于底像素密度的大屏幕应用，也就是第四象限。了解清楚了要做的最终产品之后也就知道我们要做哪种芯片。  不论是之前讲的Micro LED芯片阵列还是薄膜Micro LED芯片，做出来之后直接面临的另一个问题是如何表征和测试。同转移类似，面对如此大量的Micro LED芯片，肯定也需要一种巨量测试(mass testing)方案。面对Micro LED芯片尺寸的不断缩小，传统用针接触式（probing）的测试方案实现难度较大。很多厂家甚至在Micro LED芯片bonding到显示背板上之后对整个背板进行测试验证，然后对坏点进行修复，这个会极大的增加对背板修复的成本。 目前比较可行的方案是非接触式的PL成像方案。具体如下图，首先用激光照射覆盖一定数量的Micro LED芯片，然后用PL的摄像头拍摄被激光照射区域的Micro LED芯片的PL成像状况。由于外延或者工艺制成导致Micro LED芯片亮度较低或者不亮的可以被此方法检出。此方案能够检测出出货前芯片的绝大部分异常，但是对芯片电压和电极接触不良的异常无法验出,还需要测试设备厂家配合研发新的设备。  在这里只提这两点，希望能引出更广范围的讨论和更有创造性的方案来推动行业的进展。除此之外，Micro LED芯片的产业化在外延均匀性，工艺制成良率，巨量转移等方面都存在一定的技术瓶颈，行业内的各行家都有很多创新的意见和建议，在这里也不再重复。我们华灿光电在这些方面同样有进行一定的研究。在外延方面，我们特别针对外延的波长、亮度、电压均匀性进行了优化，四寸片的波长STD从1.8 nm下降到 0.7 nm。同时我们还优化了生产条件使得单片particle数量大大下降。为了增大外延片的利用率，我们已经着手优化6寸外延片的生长条件；在芯片方面，我们主要在微米级尺寸芯片制成，侧壁保护，衬底剥离，和芯片出光调控方面作了相应优化创新。目前在10-30 um 尺寸左右的Micro LED芯片阵列以及薄膜Micro LED芯片方面都取得了较好的进展。 最后希望能够尽早的看到真正应用了Micro LED芯片的产品，特别是采用了华灿的Micro LED芯片的终端产品，到时候一定能够讨论得更多。