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一团队研发出奈米级AlGaN发光装置,将用于紫外LED上
UVLED风向 · 2024-03-15
一团队研发出奈米级AlGaN发光装置,将用于紫外LED上
行家说UV 导读:
此前,沙特阿卜都拉国王科技大学研究团队研发出奈米级AlGaN发光装置。研究人员以渐变折射率分布限制结构层装置,制作出奈米级GRINSCH二极体,研究人员期望未来能应用在奈米高效能UV LED装置,像是激光、光感测器、调幅器以及积体光学相关装置上。
据了解,现有的AlGaN发光装置被视为是取代现有UV气体激光和含有有毒物质的UV灯的UV灯源。不过由于装置中的UV激光二极体,电压至少要25伏特才能操作,加上电洞注入层效率不佳,导致串联电阻高,导致性能受限。其中原因和AlGaN铝层的P型半导体涂层以及缺少有效的散热管道等有关。
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一团队研发出奈米级AlGaN发光装置,将用于紫外LED上
根据资料的显示,奈米级AlGaN和原先AlGaN磊晶薄膜层相比,由于表面积对体积比高,形成有效的应力松弛,能直接在包括金属等基质上延展。金属和以矽或蓝宝石包复的金属基质,能在高电流操作过程,提供更好的散热管道。
另外,奈米级P型半导体因为加入了镁,活化能需求低,因此电阻也相对较小。经过研究团队实验证实,GRINSCH二极体在电子和光学表现上出色,所需电压和串联电阻也比原先的二极体要低。
来源:KAUST、综合整理
一团队研发出奈米级AlGaN发光装置,将用于紫外LED上
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