近日，元旭半导体联合清华大学、北京星火辰光科技有限公司（下称“星火辰光”），在Micro-LED光互联芯片研发中取得阶段性进展。
经清华大学、星火辰光联合测试，Micro-LED芯片样品在500A/cm²电流密度下，-3dB带宽（衡量发光器件高速响应能力的指标）达到3.5GHz。
本次结果表明，在所采用的测试条件下，联合研发的Micro-LED芯片样品具备>3GHz级响应能力，为后续驱动电路、接收端和光学耦合的匹配设计提供了实测依据。
AI算力发展
推动短距互联技术演进
随着人工智能训练、推理与高性能计算的发展，计算芯片之间以及计算与存储之间的数据交换日益频繁。系统效率不仅取决于芯片计算能力，也受到数据传输带宽、时延和能耗的影响。机柜内、板级及近封装等场景，对短距离、高密度互联提出了更高要求。
在高速、高密度条件下，铜互联面临传输损耗、可用距离及信号补偿功耗等约束，推动产业探索适配短距场景的光互联方案。Micro-LED光互联采用大量相对低速光通道并行承载数据，为提升总传输能力提供不同于少数超高速通道的技术路径，并具有优化带宽密度和能耗的潜力。这一路线主要面向短距应用，与其他光源方案共同服务不同距离和系统需求。
三方协同衔接
外延、芯片与集成封装
在本项目中，元旭半导体聚焦Micro-LED芯片工艺、巨量转移和玻璃基集成光电封装技术研发；清华大学、星火辰光聚焦Micro-LED外延技术、高速芯片设计等技术研发。三方优势互补，通过外延优化、芯片制备、光电集成封装与测试反馈相衔接，使材料和器件研究能够与后续集成需求共同迭代。
MOG平台技术
积累支撑光互联集成研发
元旭半导体的光互联研发以Micro-LED芯片和光电集成封装为基础，将MOG（Micro-LED on Glass）玻璃基集成平台积累的技术用于人工智能新应用，打造人工智能关键器件基石。其意义不仅在于获得单颗高速发光芯片，还在于逐步建立从器件到阵列、再到光电集成的工程能力。
下一阶段，元旭半导体将围绕器件一致性、阵列集成与封装互连继续研发，并联合合作伙伴推进驱动、接收及光学耦合适配，通过链路测试持续验证通信能力，推动本次芯片级成果向面向应用的产品开发延伸。
