可实现最远距离通讯，紫外这一技术被运用
行家说UV 导读：
在日盲区紫外光通信系统中，光源LED的调制带宽决定了通信信道容量，它的亮度决定了单跳通信的距离。常规的UVC-LED的EQE在1%~3%范围内，发光强度在毫瓦级。在光通信中，常规LED的调制带宽主要受载流子寿命和RC时间常数共同调控，并且与尺寸强烈相关。
目前使用传统大尺寸UVC-LED通信的最高速率高达2.4 Gb/s，最远距离可达125 m。但紫外Micro-LED因优势可以被逐渐关注。
据了解，2019年Strathclyde大学首次报道利用262 nm紫外Micro-LED通信阵列实现了1 Gb/s的通信速率以来，对于紫外Micro-LED中的高注入电流密度、波长蓝移和半峰宽变窄等物理现象已被大量研究。
另外Strcthclyde大学Daniel M.Maclure团队报道的285 nm波长Micro-LEDs通信阵列芯片分别在10 m和116 m距离上实现了6.5 Gb/s和>1 Gb/s的通信速率，这是目前使用紫外Micro-LED实现的最远距离和速率。
图1（a）用于紫外光通信的Micro-LED阵列的电极部分，（b）Micro-LED芯片部分
加入UV LED群，可添加岑夕（cenxitalk）
紫外光通信的片上集成通常是指将同样MQWs结构的紫外LED（或者Micro-LED）和紫外探测器（PD）通过耦合波导连接，利用发光-检测现象进行片上的紫外光通信，实现光互联的技术。这种技术充分利用了高Al组分MQWs发射的横向传播TM模光子。
2022年，中国科学院半导体研究所魏同波团队报道的274 nm LED和自驱动PD、波导的片上集成，在片上通信实验中实现600μm距离1MHz的通信带宽。自驱动PD表现出127/131 ns的上升/下降响应时间是目前报道的自驱动PD最高性能。
图2（a）由S1-LED加载的发射信号，由S1-PD捕获的接收信号，（b）从S1-PD上得到的接收信号拟合得出的上升/下降时间，（c）在1MHz下测量的通信眼图
目前，部分实验室制备器件的WPE可达6%~10%，预计2026年可突破15%。将紫外LED和自驱动PD集成有望实现多功能系统，如实时检测光强的通信、照明芯片等，但目前相应研究处于发展阶段。
来源：中国光学、百度、综合整理
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