提升30%光功率，两家企业公布最新专利
行家说UV 导读：
行家说UV从国家知识产权局了解到，兆驰半导体、优威芯电子近段时间公开了在UV LED的新发明专利。
兆驰半导体：可提升深紫外LED外延片的成品率
日前，江西兆驰半导体本公开了一种深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED，涉及半导体光电器件领域。
其中，深紫外LED外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的WS2薄膜层、AlxGa1xN层、第一AlN层和第二AlN层；其中，x为0.30.6，所述第一AlN层的生长温度大于所述第二AlN层的生长温度，第一AlN层中Al组分的占比大于所述第二AlN层中Al组分的占比。
据其透露，实该发明专利可提升深紫外LED外延片的成品率以及其发光效率。
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优威芯电子科技：提升265nm深紫外线LED光功率至少30%
日前，深圳市优威芯电子科技有限公司公开一种深紫外LED器件封装工艺发明专利，属于微电子封装领域。所述封装工艺将可深紫外固化的封装材料填充进入器件内部，包裹住深紫外LED芯片；然后经过深紫外线照射固化，形成封装透镜。
相对传统工艺的全氟材料封装工艺而言，该工艺具有步骤简单，性价比高，成本低廉，无毒环境友好等特点。封装材料具有较高的深紫外线穿透率和匹配的折射率，具有优良的抗老化性能，500小时深紫外透过率仍在到90%左右，稳定性良好，而且该工艺能够提升265nm深紫外线LED光功率至少30%。
其指出，利用封装工艺可以应用于多种深紫外LED的封装。
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