WPE达3.27%，这一方法实现高性能UVB-LED
行家说UV 导读：
UVB-LED主要应用于人类皮肤病治疗、提高动物体内维生素 D 水平、促进次生植物代谢物的生成等方面。目前，由于缺乏能和UVB-LED 的多量子阱晶格匹配的 AlGaN基板，UVB-LED 多量子阱与衬底之间存在着严重的晶格失配问题，这在很大程度上限制了UVB-LED的发展。
日前，由北京大学王新强教授团队联合松山湖材料实验室，提出一种衬底驱动应变调控方法，通过对纳米图形化蓝宝石衬底上的周期型纳米孔的孔径进行调控，将AlN基板中的压缩应变，精确地控制为轻微拉伸应变，实现了对 AlGaN 基底和 MQWs 质量的有效提升。
a）常规 UVB-LED 结构，b) 用于 UVB-LED 的传统应变调制法，c) 用于 UVB-LED 的衬底驱动应变调控
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基于上述方法，该团队获得了高质量的 Al0.55Ga0.45N 底层（厚度为2微米）和多量子阱，最终成功制备了峰值波长为 303.6 nm的高性能 UVB-LED。“当注入电流为20mA时，该20 ×20 mil²UVB-LED 芯片的电光转换效率可以达到3.27%，高于目前市面上大多数UVB-LED 的电光转换效率。”
a）室温下UVB-LED 芯片的正向 I-V 特性和功率-电流曲线。插图为半对数电流坐标下的 I-V 曲线。b）UVB-LED 芯片的效率-电流曲线。c）不同注入电流下 UVB-LED 芯片的 EL 光谱。插图显示了EL光谱峰值位置随注入电流的变化。d）100 mA（75 A cm-2）注入电流下的归一化光功率-老化时间曲线。
来源：整理自深科技、松山湖材料实验室、Advanced Functional Materials
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