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Vishay推两款UVC-LED器件

日前，Vishay Intertechnology 推出了两款采用陶瓷/石英封装的UVC-LED器件，用于医疗、工业和消费应用中的灭菌。与上一代解决方案相比，Vishay Semiconductors VLMU35CR40-275-120 和 VLMU35CR41-275-120宣称可以更低的成本提供更高的辐射功率，同时提供更高的消毒效率和更长的使用寿命。

据了解，器件在 250 mA 时具有 37 mW 的高典型辐射功率，就 mW/$ 性能而言，比低功率发射二极管高 30%，比上一代解决方案好 12 倍。此外，VLMU35CR41-275-120在250 mA 时提供 30 mW的最小辐射功率，与350 mA时最接近的竞争器件相同。Vishay表示，与280 nm解决方案相比，VLMU35CR40-275-120 和 VLMU35CR41-275-120 的消毒效率提高了 20%。这些器件采用紧凑、热优化的表面贴装 3.45 mm x 3.45 mm x 1.7 mm 封装，带有陶瓷基板和石英窗口，可确保在 250 mA 和 25 °C 下具有27000小时的长使用寿命。

锋翔科技推出新一代 UV LED 固化系统

日前——锋翔科技推出新一代 UV LED 固化系统，主要用于光纤和线材涂层应用，包括光纤、电线和结构线材，以及用于智能织物的线材。

据了解，锋翔科技提供完整的UV LED系统，与传统的基于汞的UV固化相比，该系统具有许多优势，例如在光纤和线材的整个直径范围内获得快速和更一致的结果、降低运营成本、提高产量以及节省高达 70% 的能源。锋翔科技的光纤固化系统包括一个高强度 UV LED光源，用于固化保护玻璃纤维的涂层，以及一个光纤反射器单元 (FRU)，用于将UV能量引导到光纤的周围。UV LED光源和FRU封装在IP52外壳中，保护系统免受液体溢出。LED技术可大幅降低能耗并显着降低工件表面温度。对于需要过程监控的应用，FRU包括用于辐照度监控系统的安装功能。

上海芯元基半导体项目预计今年11月投产

近日，上海芯元基半导体项目正进行主体厂房内部装修，预计今年11月投产。据了解，该项目总投资6亿元，其中，一期投资2亿元，打造一条GaN基DPSS衬底生产线，一条UVA365nm芯片生产线，设计产能为20万片衬底和1万片UVA芯片，达产产值超3亿元。据悉，上海芯元基成立于2014年，是一家半导体元器件研发生产商，主要从事以GaN为主的第三代半导体材料和器件开发，具有自主知识产权的复合图形化衬底（DPSS）、蓝宝石衬底化学剥离和晶圆级芯片封装等LED芯片创新技术。

265 nm高强度深紫外线LED获进展

近日，日本先进信息通信技术研究所宣布，研发出随身携带的紧凑型手持设备，与市面上现有设备有所不同，其采用的是265 nm的高强度深紫外线LED。

根据介绍，使用该深紫外LED手持式照射机对猪冠状病毒（PEDV）的定量照射效果进行评估，发现大范围（直径100厘米以内）的病毒可以通过极短的照射时间（小于30秒），已明确99.99%以上可灭活，有望在医院、公共/商业设施和交通设施等广泛的情况下具有高度实用性和多功能性的灭菌应用之外，它还有望用于难以进行的场所的快速灭菌和消毒。

鸿利智汇三项紫外LED行业标准定了

行家说UV最近了解到，中华人民共和国工业和信息化部公告（2022年第23号）批准发布了1036项行业标准，其中包括了鸿利智汇参与制定三项紫外LED行业标准。

据了解，紫外LED（半导体紫外发射二极管）是目前氮化物技术发展和第三代半导体技术发展的主要趋势，拥有广阔的应用前景。将在包括杀菌消毒、医疗、化工、环境净化、环境监测、光固化、无创光疗、非视距保密通信在内的众多领域获得广泛应用。但目前该领域的标准不多，更多是在于团体标准。

加速100毫米单晶AlN衬底产品开发

近日，HexaTech宣布加速其直径为100毫米的单晶氮化铝（AlN）衬底产品开发计划。

据该公司称，该计划在过去一年中一直处于开发的早期阶段，将在人力资源和资本支出方面进行大量投资，涉及从晶体生长到抛光的所有制造工艺领域。

HexaTech业务发展副总裁Gregory Mills表示：“正在开发的100毫米直径AlN产品旨在支持快速扩大的深紫外光电子商业市场，以及新兴的基于AlN的功率和射频器件开发工作的需求。这种能力不仅将大幅提高单位面积的价值，从而降低器件成本，而且还将与已经以100毫米运行的现有客户生产线很好地集成。HexaTech表示所有2英寸直径产品，包括全系列的深紫外透明衬底产品，现在都有标准的交货时间。

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