项目立项、联合研究，又两企透露深紫外LED进展
中科潞安大功率深紫外LED项目获山西省科技厅立项支持
近日，山西省科技厅发布2021-2022年度山西省重点研发计划（大健康与生物医药及有关社会发展领域）拟立项公示，中科潞安《大功率深紫外LED模组在公共场所消杀技术的应用研究》项目上榜。
据悉，该项目由中科潞安牵头，以实现大功率深紫外线杀菌模组的物体表面杀菌率≥99.9%，水杀菌率（流量2L/min）≥99.9%，空气杀菌率20m3空间内2h灭杀自然菌达到90％，制定/发布2项地方标准等为目标。
项目致力于研究深紫外LED在公共场所的杀菌消毒应用，进一步提高自主研发生产的深紫外LED芯片的光输出功率，研制出可以有效杀灭公共场所中细菌病毒的高可靠性大功率深紫外LED芯片以及相应的杀菌消毒解决方案，开发出大功率封装灯珠、过流式水杀菌装置，拓展深紫外LED在公共卫生领域的重大应用需求。
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日本最大的工业气体供应商TNSC启用深紫外LED研究
近日，TNSC和RIKEN使用TNSC的MOCVD设备进行了验证，展示226 nm波长基于AlGaN的深紫外LED电致发光 (EL)。
据悉，发射波长为220至350 nm且基于AlGaN的深紫外LED可被用于消毒、医疗等领域，为此TNSC与RIKEN就深紫外LED技术的外延生长和器件效率提升进行了联合研究。
此前，在4 英寸晶圆配置中使用 TNSC SR4000HT MOCVD演示了280 nm发射波长。这次报告显示2 英寸x 3 晶片配置的TNSC SR4000HT 具有226 nm 短波长的EL发射。图1表示各波长的EL发射光谱，图2则表示Al组成与各波长的关系，表示发光波长相对于Al组成呈线性变化。
来源：compoundsemiconductor、中科潞安
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