日前，美国Ⅱ-Ⅵ公司宣布其在自有高质量SiC衬底上制作的1200V SiC MOSFET已达到严格的汽车标准要求，并通过与GE（通用电气）研究院签署为期三年的技术准入协议（TAA），以获得该实验室的世界级SiC模块技术和专家团队，加速客户设计参与活动。另外，Ⅱ-Ⅵ将继续执行之前宣布的增长计划，在未来十年内投资10亿美元用于SiC平台的产能和创新。

Ⅱ-Ⅵ与GE在2020年签署相关协议，获得其SiC器件及模块生产技术授权。随后，其完成对Ascatron（SiC外延及器件）和INNOViON（离子注入）收购，进而成为全球极少数的SiC垂直整合生产商之一。

再观老牌劲旅GE，其拥有强大的SiC专利实力，相关活动自2000年代末开始，重点在于SiC MOSFET的平面型器件架构，GE是该技术中最活跃的IP厂商，目前在全球拥有90多项已获授权的专利，其中包括该领域的许多关键专利。

II-VI期待依靠GE的IP实力迅速占领SiC功率市场，近年来持续扩产并兴建研发中心。另外，II-VI正不断扩大在华业务，其中包括2021年在福州亚洲区域总部正式建立了用于导电型SiC衬底的后段加工线，以及为了服务全球最大的电动汽车市场而在上海设立II-VI最大的技术和研发中心。（文：化合物半导体市场 Matt整理）

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