据外媒近日报道，日本最大工业气体制造商大阳日酸（Nippon Sanso Corp，TNSC）宣布与北卡罗来纳州立大学（North Carolina State University，NC State）达成合作，双方已签署为期三年的合作协议，将开展GaN技术和设备解决方案的研究，从而开发GaN基的光电器件、光子器件和电子器件。

根据合作协议，北卡罗来纳州立大学将采用大阳日酸的SR2000 MOCVD反应腔进行GaN技术和产品的研发，目标是融合双方在设备、工艺和器件领域的专业知识，共同推动GaN基外延和器件技术的发展。

据了解，北卡罗来纳州立大学是全球顶尖研究型公立大学，在宽禁带器件、技术开发及商业化领域享有很高的声誉。国际龙头厂商Wolfspeed的创始人就曾在该大学从事SiC物理特性方面的科研工作。北卡罗来纳州立大学认为，大阳日酸的MOCVD设备有助于推动下一代宽禁带及下一代超宽禁带材料和器件的研发和生产。

大阳日酸成立于1910年，是日本最大的工业气体和空分设备制造商，在全球工业气体行业综合排名前五位，于2015年被三菱化学收购。大阳日酸在MOCVD领域的客户包括丰田合成、日亚化等日系厂商，以及部分台系、大陆系及韩系厂商。

大阳日酸认为，GaN基激光器及GaN基LED器件的应用正在不断扩展，公司预计SR MOCVD和UR MOCVD设备将成为先进GaN光电器件制造的选择。

实际上，早在2011年，大阳日酸就曾在TrendForce集邦科技LEDforum会议上预言，硅基GaN将成为LED未来发展的技术之一。如今，硅基GaN在Micro LED等下一代显示技术领域的应用空间已逐步被打开。与此同时，硅基GaN在功率电力电子和微波射频领域也备受青睐。未来，在合作伙伴的协同发展下，大阳日酸的MOCVD业务可望多点开花，并将推动GaN在不同应用市场的商业化及落地应用。（文：化合物半导体市场 Jenny编译）

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