收录于话题

公司将成为欧盟研究项目的合作伙伴，开发基于新型工艺技术的高效功率晶体管

外延专家爱思强Aixtron宣布成为欧盟“YESvGaN”（垂直硅基氮化镓：硅成本下的宽带隙功率）研究项目的合作伙伴，该项目旨在开发基于新型工艺技术的高效功率晶体管，用于大规模工业生产。

“YESvGaN”联盟估计，到2030 年，欧盟持续使用此类 YESvGaN 垂直 GaN 晶体管可能节省的电力，相当于 7 个核电站或 10 个燃煤电站的电力输出。

为了开发以硅为衬底的垂直 GaN 功率晶体管，该联盟将依赖 Aixtron SE 的外延技术。这是因为对于这种新开发的功率器件，GaN 必须在合适的衬底（如硅晶片）上以结晶层的形式大面积生长。

为了进一步推动基于 GaN 器件的市场渗透，爱思强还在 300 毫米直径的外延片上测试外延生长，作为“YESvGaN”研究项目的一部分；目前，MOCVD 技术主要用于 150 mm 至 200 mm 晶圆上的晶体生长。为了在 300 毫米硅衬底上沉积 GaN 层，沉积系统专家正在开发所需的设备。

“硅晶圆上的 GaN 功率晶体管为我们提供了一个耐人寻味的机会，与硅（Si）相比，GaN的功率密度高出约15%，同时又具有既定硅技术的成本优势。因此，其性能有望超过现代 SiC MOSFET， 而芯片成本可与 Si IGBT 相媲美。”Aixtron SE 高级技术副总裁 Michael Heuken 说。

“YESvGaN”合作伙伴包括博世、Ferdinand-Braun-Institut、莱布尼茨高频技术研究所、弗劳恩霍夫集成系统和设备技术研究所、Finepower、X-FAB、NanoWired and Siltronic、CNRS 国家科学研究中心、Ion Beam Services、意法半导体、 EpiGan、Universiteit Gent、EV Group、Materials Center Leoben Forschung、Hexagam、Linkopings Universitet、Smart Induction Converter Technologies、Universitat de Valènciam Aurel、Consorzio nazionale interuniversitario per la nanoelettronica和Raw Power。

关于我们

《化合物半导体》中国版(CSC)是全球最重要和最权威的杂志Compound Semiconductor的“姐妹”杂志，亦是中国唯一专注于化合物半导体产业的权威杂志，重点介绍国外先进技术和产业化经验，促进国内产业发展，为国内读者提供化合物半导体行业的专业知识。内容涵盖晶体的特性研究，器件结构的设计，生产中用到的材料、设备、软件、测量、厂房设施，以及有关市场分析和动态。

雅时国际商讯（ACT International）成立于1998年，为高速增长的中国市场中广大高技术行业服务。ACT通过它的一系列产品－包括杂志和网上出版物、培训、会议和活动－为跨国公司及中国企业架设了拓展中国市场的桥梁。ACT的产品包括多种技术杂志和相关的网站，以及各种技术会议，服务于机器视觉设计、电子制造、激光/ 光电子、射频/ 微波、化合物半导体、洁净及污染控制、电磁兼容等领域的约十多万专业读者。ACT 亦是若干世界领先技术出版社及展会的销售代表。ACT总部在香港，在北京、上海、深圳和武汉设有联络处。