电压升至700V！纳微半导体GaN功率IC升级

据外媒报道，美国GaN功率IC厂商纳微半导体透露，其基于GaNSense技术的GaNFast功率IC电压已从650V升级至700V，效率及功率密度均得到提升，将拓展在快充市场的应用。

纳微半导体表示，GaN运行速度是硅的20倍，可提供3倍功率及3倍充电速度，同时降低40%的损耗，而尺寸和重量仅为硅的一半。纳微半导体的GaNFast功率IC集成了GaN功率、驱动、保护和控制，可实现简单、小巧、快速及高效的产品性能。目前，GaNFast功率IC的出货量已超3000万，且没有出现场失效现象。

据介绍，为实现持续运行，基于GaNSense的NV613x和NV615x GaNFast功率IC的电压等级已从650V升到700V，并且在瞬态条件下，额定电压可达800V。

纳微半导体表示，电压等级升高能够使得电源变压器的电路设计更加高效；同时，对于那些电网不可靠且变化大，而电压峰值极端的地区来说，提高电压等级能够增强性能。（文：化合物半导体市场 Jenny编译）

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