StratEdge将展示最新的GaN、SiC和GaAs封装
以下文章来源于化合物半导体联盟 ，作者化合物半导体杂志
化合物半导体联盟 .
《化合物半导体》（CSC）是全球最重要和最权威的杂志Compound Semiconductor的“姐妹”杂志，亦是中国唯一专注于化合物半导体产业的权威杂志，重点介绍国外先进技术和产业化经验，促进国内产业发展，为国内读者提供行业的专业知识。
公司将参加在圣地亚哥举行的 2021 年国际微电子研讨会 (IMAPS)
StratEdge Corporation是一家为微波、毫米波和高速数字设备开发高频和大功率半导体封装的公司，它宣布其技术专家将在2021年11月10日至14日，加利福尼亚州圣地亚哥举行的国际微电子研讨会上现场讨论器件的最佳封装和组装服务类型（IMAPS）
StratEdge 将在 IMAPS 上展示其用于功率半导体的最新小外形热增强氧化铝/玻璃侧壁封装系列（如上图所示）。新的封装系列可用于功率集成电路应用中的硅、碳化硅、氮化镓和其他化合物半导体。特定器件包括放大器、分立晶体管和消耗的功率大于 0.5 瓦二极管。
StratEdge 还将展示用于支持 5G 基础设施需求的软件包。这些封装最常用于保护高功率横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS)、GaAs、SiC 和 GaN 器件，符合为支持蜂窝基站而开发的标准轮廓。
“GaN-on-SiC 器件经常用于 5G 基站，但这些器件具有极高的功率密度，会产生大量的局部热量。StratEdge 封装使用铜钼铜 (CMC) 底座来散热，增加了芯片实现的功率输出并使器件能够在较低的温度下运行，从而使其持续时间更长，可靠性更高，性能更高效，”全球销售副总裁 Casey Krawiec 说。
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