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电机驱动设计采用CoolSiC MOSFET
以下文章来源于化合物半导体联盟 ,作者化合物半导体杂志
化合物半导体联盟 .
《化合物半导体》(CSC)是全球最重要和最权威的杂志Compound Semiconductor的“姐妹”杂志,亦是中国唯一专注于化合物半导体产业的权威杂志,重点介绍国外先进技术和产业化经验,促进国内产业发展,为国内读者提供行业的专业知识。
电机驱动设计采用CoolSiC MOSFET
英飞凌宣布用于通用工业电机驱动的 22 kW 参考设计
英飞凌推出了一种经过预先测试的通用电机驱动参考设计,据称可显着缩短上市时间。
该参考设计的标称功率为 22 kW,可直接在 380 至 480V 三相电网上运行。该设计可以完全重新用于定制,并允许客户在实际操作条件下评估英飞凌的产品。它适用于泵、风扇、压缩机和传送带等应用。
该设计在一个系统中结合了英飞凌的最新技术。具有 1700 V 阻断电压的 CoolSiC MOSFET IMBF170R1K0M1 是辅助电源的核心部分。该设计还包括用于高电流和高功率密度的 EasyPIM 3B IGBT7 模块 FP100R12W3T7_B11、用于优化 EMI 性能和低功率损耗的 EiceDRIVER Compact 1ED3131MC12H 以及用于测量功率损耗最小的高电流的 XENSIV 电流传感器 TLI4971-A120T5。
该系统还包含两个微控制器——用于控制的 XMC4800 和用于通信的 XMC4300,包括用于电机控制的预装软件包。这种组合允许在一个设计中评估这些产品并体验它们的交互作用。
为了完成模块化方法,该系统可选择配备 3D 打印外壳,该外壳封装了所有电子元件和冷却系统。外壳包括一个用于显示当前操作条件的触摸屏,以及用于外部连接的 EtherCAT 和 USB 接口。
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《化合物半导体》中国版(CSC)是全球最重要和最权威的杂志Compound Semiconductor的“姐妹”杂志,亦是中国唯一专注于化合物半导体产业的权威杂志,重点介绍国外先进技术和产业化经验,促进国内产业发展,为国内读者提供化合物半导体行业的专业知识。内容涵盖晶体的特性研究,器件结构的设计,生产中用到的材料、设备、软件、测量、厂房设施,以及有关市场分析和动态。
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