英飞凌和松下加速GaN的发展

以下文章来源于化合物半导体联盟 ，作者化合物半导体杂志

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双方签署联合开发生产650V第二代GaN技术的协议

英飞凌科技公司和松下公司已签署一项协议，共同开发和生产第二代 (Gen2) 经验证的 GaN 技术，提供更高的效率和功率密度水平。

英飞凌的高性能、高可靠性以及8英寸GaN-on-Si晶圆生产能力，标志着英飞凌对GaN功率半导体不断增长的需求进行了战略性拓展。根据市场需求，Gen2将开发为650 V GaN HEMT。这些器件将易于使用，并提供更高的性价比，尤其针对高功率和低功率开关电源应用、可再生能源、电机驱动应用。

“除了与第 1 代相同的高可靠性标准外，由于转向 8 英寸晶圆制造，下一代客户将受益于更容易的晶体管控制以及显着改善的成本状况，”英飞凌电源和传感器系统部门总裁 Andreas Urschitz 说。

与联合开发的第一代器件（英飞凌的 CoolGaN 和松下的 X-GaN）一样，第二代器件将基于常关型 GaN-on-silicon 晶体管结构。这与混合漏极嵌入式栅极注入晶体管 (HD-GIT) 结构无与伦比的稳健性相结合，使这些组件成为首选产品和市场上最长期可靠的解决方案之一。

“我们很高兴在 GaN 组件上扩大与英飞凌的伙伴关系和合作。在联合方法中，我们将能够以高质量和基于最新创新发展的方式应用 Gen1 和 Gen2 器件”，工业解决方案工程部副主任 Tetsuzo Ueda 说。

新的 650 V GaN Gen2 器件计划于 2023 年上半年投放市场。

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