已启动量产！高功率紫外LED的“最佳拍档”终于来了？

UVLED风向 · 2021-09-13

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2021第四届行家说UVC LED进阶大会

倒计时 6 天

日前，奥趋光电技术（杭州）有限公司，发布了——2英寸（Φ50.8 mm）高质量氮化铝单晶衬底，并启动小批量量产。

UTI-AlN-050B系列2英寸高质量AlN单晶衬底，及其他各尺寸AlN单晶衬底

据悉，氮化铝（AlN）是新一代超宽禁带半导体高端材料，具有超大禁带宽度（高达6.2 eV）、高热导率、高击穿场强、高热稳定性，以及良好的深紫外透过率等卓越的性能优势，但由于AlN单晶生长难度高、条件苛刻，其制备难度远大于SiC、GaN等。

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而小尺寸的AlN单晶虽已在器件研发中广泛使用，但有限的晶圆尺寸和产量无法满足相关领域大规模产线制造的需要，这始终是制约AlN单晶衬底规模化应用的主要瓶颈之一。

这一次，2英寸氮化铝单晶衬底如约而至，高功率深紫外LED、紫外LED、紫外探测器、紫外预警及高功率、高频、高温电子器件等领域有望迎来大功率芯片的最佳衬底材料及解决方案。

9月17日，为推动紫外LED产业链上中下游融通发展，行家说将在深圳宝安国际会展中心2AB会议室举办“2021行家说UVC-LED进阶应用大会”，届时，美的、国星光电、首尔SVC、升谱光电、艾迈斯欧司朗、优紫科技（PW）、深紫科技、至芯半导体等企业进行面对面思想碰撞，共同探讨UVC-LED未来发展及走向！且行家说也将重磅发布《2021年 UVC-LED 产业调研级白皮书》，分享UV LED实际发展现状、价格走势、市场规模与技术展望等。（点击下方二维码即可参会）

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