瑞萨电子（Renesas）推出塑料封装的抗辐射GaN芯片

瑞萨电子（Renesas）推出塑料封装的抗辐射 GaN芯片

100V GaN FET 和集成低侧驱动器适用于具有较长寿命要求的中/地球同步轨道任务，以及小型卫星和更高密度的电子器件

半导体公司瑞萨电子推出了一系列用于卫星电源管理系统的塑料封装抗辐射（rad-hard）器件。

这四款新器件包括 ISL71001SLHM/SEHM 负载点 (POL) 降压稳压器、ISL71610SLHM 和 ISL71710SLHM 数字隔离器，以及 ISL73033SLHM 100V GaN FET 和集成低侧驱动器。

新产品组合将抗辐射保证水平与塑料封装的电路板面积节省和成本优势相结合，为具有较长寿命要求的中/地球同步轨道 (MEO/GEO)任务以及小型卫星 (smallsats) 和更高密度的电子器件带来了空间级解决方案，同时降低了尺寸、重量和功耗 (SWaP) 成本。

新的IC 还补充了瑞萨电子于 2017 年为低地球轨道小型卫星推出的耐辐射塑料封装 IC。瑞萨电子的塑料 IC 系列共同支持多个轨道范围，提供各种卫星子系统和有效载荷所需的辐射性能和最佳成本平衡。

“随着每一项新任务的开展，客户希望获得更多功能，这就需要更大的卫星有效载荷，传统上这就意味着卫星系统的SWaP增加。”瑞萨工业和通信业务部副总裁 Philip Chesley 说，“借助瑞萨电子的新型 IC，客户可以享受塑料封装的 SWaP 优势，与陶瓷封装器件相比，最多可节省 50% 的电路板面积，同时保持更高轨道任务所需的可靠性和辐射保证，寿命可达15年以上。”

传统上，抗辐射 IC 几乎只使用密封陶瓷封装生产，这种封装能达到所需的可靠性，但在尺寸和重量方面存在显着的折衷。新的瑞萨电子抗辐射塑料 IC 可帮助客户在不影响性能的情况下减少电子器件的占用空间和成本。

为确保塑料 IC 在恶劣的空间环境中保持最高质量的运行，新器件具有类似 QMLV 的生产水平测试，并且所有器件都将接受辐射批次验收测试 (RLAT)。

生产测试流程包括 100% CSAM、X 射线、温度循环、静态和动态老化以及目视检查，并符合 SAE AS6294/1 空间塑料封装微电子标准。额外的筛选包括每个组件和晶圆批次产品的HAST、寿命测试和湿度敏感性的批次保证测试。

辐射防护集成电路在低剂量率(LDR)的总电离剂量(TID)高达75krad(Si)的情况下，以及在60MeV·cm2/mg或86MeV·cm2/mg的线性能量转移(LET)下进行单次事件效应(SEE)的特征测试。ISL71001SEHM 针对高剂量率 (HDR) 的 TID 额定值高达 100krad(Si)。

ISL73033SLHM 低侧驱动器和 100V GaN FET 的主要特性包括：将 GaN FET 驱动器和 GaN FET 组合在一个封装中，以简化栅极设计并提高效率，与 SMD 0.5 rad-hard MOSFET 相比，面积减小了 20%；VDS = 100V & IDS = 30A，RDSON为7.5mΩ（典型值）；超低总栅极电荷：14nC（典型值）；集成驱动器具有 4.5V 稳压栅极驱动电压和 3A/2.8A 灌电流/拉电流能力。

瑞萨电子提供可用于多种配电架构的电源管理产品。客户可以使用新的封装类型和生产流程将新的抗辐射塑料 IC 添加到他们现有的架构中。ISL71610SLHM 和 ISL71710SLHM IC 还可以与瑞萨电子的 rad-hard 和 rad-tol CAN 总线收发器以及 RS-422 收发器产品系列结合使用，用于串行通信系统。

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