2021年GaN和SiC增长强劲

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TrendForce表示GaN功率器件的营收年增长率最高，达90.6%。

据TrendForce最新调查显示，从2018年到2020年，中美贸易战和COVID-19疫情已经对整个半导体行业产生了影响。

在此期间，该行业的增长有限，进而导致GaN和SiC器件（有时被称为第三代半导体）这一新兴领域增长缓慢。

但是，TrendForce表示，由于汽车、工业和电信应用的大量需求，GaN和SiC市场可能会进入快速增长期。尤其是GaN功率器件市场将以最快的速度增长，预计2021年将实现6100万美元的收入，同比增长90.6％。

TrendForce预计，有三个因素将推动2021年GaN和SiC市场的快速增长：首先，预计广泛的疫苗接种将大幅遏制疫情的蔓延，从而刺激对基站组件以及用于工业能源转型的组件（如电源逆变器和转换器）的需求稳定增长。

其次，随着特斯拉开始采用SiC MOSFET设计用于Model 3汽车的内部逆变器，汽车行业开始越来越重视这种第三代半导体。

最后，中国将从今年开始在其“第十四个五年计划”中投入巨额资金，扩大其第三代半导体的产能，以最终实现半导体独立。

电动汽车、工业和电信等领域的需求回升，将带来第三代半导体器件收入的相应增长。

尽管某些代工厂（例如台积电和VIS）一直在尝试用8英寸晶圆制造GaN器件，但6英寸晶圆仍是主流。随着疫情出现缓和迹象，对5G基站中的射频前端、智能手机充电器和车载充电器的需求现已逐渐增加。因此，预计2021年，GaN射频器件的年度总收入将达到6.8亿美元，同比增长30.8％，而GaN功率器件的收入预计将达到6100万美元，同比增长90.6％。

特别是，GaN功率器件收入的显着增长主要归功于小米、OPPO和Vivo等智能手机品牌从2018年开始发布的快速充电器。这些充电器由于其有效的散热和小巧的体积，获得了极好的市场反响。目前，一些笔记本电脑厂商也希望在笔记本充电器上采用快充技术。

展望未来，TrendForce预计更多的智能手机和笔记本电脑充电器将采用GaN功率器件从而使GaN功率器件的收入在2022年达到一个同比增长的峰值，之后随着GaN功率器件被充电器制造商广泛采用，其上升轨迹将明显放缓。

另一方面，由于SiC衬底被广泛用于射频前端和功率器件中，因此SiC器件的6英寸晶圆产能一直处于相对短缺状态。

TrendForce预计，2021年SiC功率器件年收入将达到6.8亿美元，同比增长32％。包括Cree、II-VI和意法半导体在内的主要衬底供应商都计划生产8英寸SiC衬底，但SiC衬底供应短缺的问题在2022年之前不太可能得到解决。

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