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【亚成微·行业内外】突破极限!1nm晶体管诞生
亚成微电子 · 2016-10-09
【亚成微·行业内外】突破极限!1nm晶体管诞生
研究成果
【亚成微·行业内外】突破极限!1nm晶体管诞生
研究成果
【亚成微·行业内外】突破极限!1nm晶体管诞生
研究成果
此前,英特尔等芯片巨头表示它们将寻找能替代硅的新原料来制作7nm晶体管,而现在劳伦斯伯克利国家实验室走在了前面。它们的1nm晶体管由纳米碳管和二硫化钼制作而成,二硫化钼将担起原本半导体的职责,而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。
眼下这一研究还停留在初级阶段,毕竟在14nm的制程下一个模具上就有超过10亿个晶体管,而要将晶体管缩小到1nm,大规模量产的困难有些过于巨大。不过这一研究依然具有非常重要的指导意义,新材料的发现未来将大大提升电脑的计算能力。
此前,英特尔等芯片巨头表示它们将寻找能替代硅的新原料来制作7nm晶体管,现在劳伦斯伯克利国家实验室走在了前面,它们的1nm晶体管由纳米碳管和二硫化钼(MoS2)制作而成。MoS2将担起原本半导体的职责,而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。
眼下,这一研究还停留在初级阶段,毕竟在14nm的制程下,一个模具上就有超过10亿个晶体管,而要将晶体管缩小到1nm,大规模量产的困难有些过于巨大。
不过,这一研究依然具有非常重要的指导意义,新材料的发现未来将大大提升电脑的计算能力。
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