LED芯片大厂宣布Micro LED光通信关键进展
2026 年，受 AI 数据中心功耗墙与CPO架构拉动，Micro LED光通信从显示圈的边缘议题，升级为光电半导体大厂的第二战场。
继友达近日加码Micro LED光通信后，富采控股（3714）旗下富采光电今（8月5日）官宣了Micro LED光通信关键进展。
据富采官网公告，其研发团队已成功在2 kA/cm²电流密度条件下，将蓝光Micro LED单通道高速调制带宽（-3 dB Bandwidth）提升至2.1 GHz；在5 kA/cm2电流密度下更可达到3.3 GHz。
该成果已处于行业领先水平，并接近光通信短距传输的商用化要求。
来源：富采官网
值得注意的是，此番突破并非单纯堆砌电流。富采强调，依托其在III-V族化合物半导体领域的长期积累，通过外延结构与材料品质的深度优化，在提升带宽的同时兼顾了低功耗与热稳定性。高速调制带宽是光通信器件的心脏，直接决定了数据传输的上限，高带宽意味着Micro LED有望承载更密集的数据吞吐任务。
富采表示，高速光通信已成为公司下一阶段的重要发展方向；目前在光通信领域已形成了以Micro LED、VCSEL激光及CW-DFB激光三大光源协同发展的战略布局。而在近期也与赛富乐斯达成深度战略合作，将聚焦AR终端、下一代共封装光学（CPO）、高密度光模块等前沿应用，前瞻布局光电技术创新方向，加速半极性Micro-LED技术落地商用。
基于战略布局，富采表示，未来将继续推动更高带宽的研发，同时注重低能耗条件下的传输性能，以满足人工智能运算、数据中心及高性能计算对高速数据交换的需求。
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