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近期，兆驰半导体、镭昱光电、微玖光电、金华觉远创智、苏州汉骅半导体等企业陆续公示Micro LED相关专利最新进展；涉及Micro-LED外延片、Micro LED芯片制备、Micro LED封装结构等，致力于提升Micro LED发光效率、良率、对比度、显示性能。

■ 兆驰半导体：Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED

11月11日，兆驰半导体“Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED”的专利进入审中公布阶段。

所述MicroLED外延片包括蓝宝石衬底，及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层。

其中，所述缓冲层包括依次层叠的第一AlN层、第一GaN层、第二GaN层和第二AlN层，所述第一GaN层为二维生长GaN层，所述第二GaN层为三维生长GaN层，所述第一AlN层与所述第二AlN层的厚度比为1:(0.3～5)。实施本发明，可以控制外延生长的缺陷密度，从而提升Micro LED在小电流下的发光效率和良率。

■ 镭昱光电：Micro-LED显示芯片和制备方法

近日，镭昱光电“Micro-LED显示芯片和制备方法”的专利进入审中公布阶段。

Micro LED显示芯片包括了驱动面板、多个LED单元、波长转换层、透镜单元和多个聚光层。

本申请实施例提供的Micro LED显示芯片，通过在透镜单元上设置至少两个叠置的聚光层，能够增加透镜单元的覆盖面积，能够使透镜单元全面覆盖Micro LED显示芯片的整个像素区域，进而提高聚光效果。使得更多或所有的光线均通过透镜单元进行投射，将微小的光线收集起来，并聚焦到特定的区域，从而提高像素的亮度和清晰度；同时使透镜单元能够更好地调整光线的角度和分布，改善像素之间的颜色均匀性，使显示画面更加鲜艳和逼真。进而提高Micro LED显示芯片的对比度、减少眩光和光晕效应，从而使Micro LED显示芯片提供更加清晰、逼真的视觉体验。

■ 微玖光电：3则Micro LED专利更新进度

11月14日，微玖(苏州)光电科技有限公司3则Micro LED相关专利均进入审中公布阶段。

一种降低红光MicroLED功耗的方法

本申请公开了一种降低红光Micro LED功耗的方法，包括：S1，片源准备；S2，预处理清洗；S3，光刻成型；S4，残胶去除；S5，氧化层清除；S6，复合金属沉积；S7，去胶脱附；S8，外观筛选；S9，退火处理；还可增设S10，性能验证；核心是采用物理气相沉积技术，在金属沉积窗口内沉积含Au、Ge、Ni的复合金属膜层，且Ni层位于Au层与Ge层之间，结合保护气氛下的快速退火，抑制Ge团聚，降低N电极与n型GaAs层的接触电阻；本发明兼顾低接触电阻与N侧透光率，兼容Si、蓝宝石等衬底，工艺适配性强，功耗降低，提升器件可靠性与批次良率，适用于Mini/Micro LED显示等领域。

一种新型MicroLED产品封装及光学结构

本申请公开了一种新型Micro LED产品封装及光学结构，包括相互配合的封装模组与光学透镜；封装模组由FPCB基板、芯片组件及MOC塑封层构成，且所述CMOS芯片的焊盘通过导线与所述FPCB基板的金手指导通形成电回路；所述MOC塑封层或封装胶层在LED发光面四周非功能区设3个以上定位孔；所述光学透镜底部一体成型与定位孔匹配的定位柱，通过“定位孔定位柱”实现精准定位，粘接胶仅填充间隙。

本发明实现光学透镜与封装模组的精准快速定位；优化粘接胶分布，避免溢胶与粘接力不足，提升光学成像均匀性；提供两种定位孔制备工艺，适配批量生产与小批量试产需求，降低成本；减少封装与透镜装配的整体厚度，实现产品轻薄化。

一种抗热衰红光MicroLED外延结构及制备方法

本申请公开了一种抗热衰红光Micro LED外延结构及其制备方法，所述外延结构从下至上依次包括衬底层、n型缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型欧姆接触层、n型限制层、量子阱结构、p型间隔层、p型电子阻挡层及p型欧姆接触层；其中量子阱结构由1–5对InGaP阱层和三段式p型AlGaInP势垒层交替构成，三段势垒层采用梯度能级设计且均进行p型掺杂。

本发明通过梯度能级势垒阻挡电子溢出、p型掺杂补充空穴浓度，解决了现有技术高温下载流子损失与复合效率低的问题，使85℃外量子效率衰减率≤10%，寿命延长至5万小时以上，且工艺兼容量产，适用于显示、照明等领域。

■ 金华觉远创智：提升Micro-LED光提取效率的结构及制造方法

11月11日，金华觉远创智科技有限公司“提升Micro-LED光提取效率的结构及制造方法”的专利进入审中公布阶段。

本发明涉及的结构及制造方法，包括由下至上依次设置的基础功能层、微透镜光学调控层和微纳二级结构，微透镜光学调控层与微纳二级结构构成核心光学功能单元；微透镜光学调控层为紧密排列的半球形微透镜阵列，微透镜底面为与基础功能层的顶端完全贴合的圆形平面，微纳二级结构位于微透镜光学调控层的外球面，微纳二级结构与微透镜光学调控层的半球形曲面形成锯齿形凸起阵列，锯齿形凸起的高度方向始终沿所在位置的球面法线方向延伸，在Micro LED器件上集成设计微透镜和微纳二级结构，对Micro LED出射光束进行整形，提升正面出射光束的占比，减少发散角，同时还可以提高光提取效率，突破Micro LED器件性能极限。

■ 苏州汉骅半导体：一种全彩MicroLED显示器件及其制备方法

近日，苏州汉骅半导体有限公司的“一种全彩MicroLED显示器件及其制备方法”专利进入有效授权阶段。

本发明公开了一种全彩Micro LED显示器件及其制备方法，器件包括若干组显示单元，所述显示单元包括：第一N GaN层，蓝光LED发光层，第一P GaN层，第一重掺PN结层，第二N GaN层，绿光LED发光层，第二P GaN层，第二重掺PN结层，第三N GaN层，红光LED发光层，第三P GaN层，第三重掺PN结层，第四N GaN层，金属反射层；钝化层，覆盖所述第一N GaN层、蓝光LED发光层、第一P GaN层、第一重掺PN结层、第二N GaN层、绿光LED发光层、第二P GaN层、第二重掺PN结层、第三N GaN层、红光LED发光层、第三P GaN层、第三重掺PN结层、第四N GaN层、金属反射层的侧壁；第一电极、第二电极、第三电极、第四电极上表面高度齐平；CMOS驱动器，覆盖键合层的上表面并电连接所述第一电极、第二电极、第三电极、第四电极。

END