重要实验结果出炉！输出功率高80％ 氮化铝质量获提高 收录于话题 #蓝宝石 1 #氮化铝 1 #功率 1

日前，日本三重大学一项重要实验结果出炉，研究人员通过热循环退火提高了蓝宝石上氮化铝模板的质量。

据了解，他们的工艺降低了AlN薄膜中的位错密度，有助于增加深紫外LED的前景。在低成本，高质量的衬底上制造该器件有望提高其输出功率，并推动其在各种应用中的部署，包括医疗，水净化和日常通信。

早在2016年，三重大学的研究小组表示可以通过一种工艺将穿线位错密度降低1-2个数量级，该工艺包括通过溅射生产一对蓝宝石上AlN衬底，然后将生产表面面对面放置并在氮气下退火。

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根据该团队的说法，当仅在1700℃下对AlN薄膜进行退火时，微弱的拉伸应变就会松弛，几乎没有应变。通过在1600°C和1700°C之间交替变化温度，这允许较低的温度引起压缩应力，从而加速了位错的运动并最终增加了湮灭和合并的可能性。使用这些条件，但是将AlN膜厚度增加到800 nm，导致穿线位错密度进一步降低到8 x 107 cm-2。

该团队已经在这种高质量的模板上生产出了深紫外LED，并与在MOCVD形成的变体上进行了比较。与对照组相比，低穿线位错密度模板中的多量子阱的黑点密度降低了近一个数量级。使用高质量模板的器件的输出功率要高出80％。通过优化生长条件，衬底切角和空穴注入层，可以预期有进一步改进。

来源：化合物半导体

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