LED企业都爱三代半？这家龙头年底小批量产GaN-DFN器件！
LED企业都爱三代半？这家龙头年底小批量产GaN-DFN器件！
今日，国星光电在互动平台上回答投资者的问题时表示，公司推出的GaN-DFN器件可应用于新能源汽车充电、手机快充等，目前处于客户配合开发、测试验证阶段，计划年底前小批量量产。
第三代半导体产业，尤其是氮化镓，既是LED的应用逻辑，也是LED的重要原材料，且LED行业的蓝宝石等也可以作为氮化镓的衬底。因此一直是LED头部企业手里的“香饽饽”，三安光电，华灿光电，国星光电等企业早已排兵布阵，布局第三代半导体。
以国星光电为例，目前，国星光电第三代半导体领域的科研，主要是由研究院几位博士带队的 10-15 人团队负责。开发的产品主要是面向于电力电子的功率器件，包括 SBD、MOSFET、DFN、QFN 等产品，还有一些定制化模块。主要面向的市场领域包括像车用、充电桩等。基于固有的封装主业技术积累以及上游技术作支撑，国星光电切入氮化镓的或碳化硅的器件和外延芯片领域具备一定优势。
据悉，国星光电研究院成立的短短 1 年时间内，也已经申请第三代半导体相关专利近 10 余项。
今年4月，据国星光电官方消息显示，公司正式推出一系列第三代半导体新产品，其中，TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD产品已经进入了试产阶段，并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证工作。TO-247-3L的性能达到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L达到1200V、13A、160mΩ。
目前，国星光电在第三代半导体领域已经形成了3大产品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。
SiC功率器件：国星SiC功率器件小而轻便，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线：SiC-MOSFET、SiC-SBD；拥有4种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。
GaN-DFN器件：国星GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势，使其尤适用于功率半导体器件，降低节能和系统总成本的同时，工作频率更高，具有极高的功率密度和系统效率，可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率，广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。
功率模块：国星光电第三代半导体功率模块，采用自主创新的架构及双面高效散热设计，具有优越的电性能和热性能，杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势，其功率密度大，产品体型小，可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域，满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。
文稿来源：化合物半导体市场，Amber
图片来源：拍信网
注：本文为化合物半导体市场原创内容，欢迎转载，转载请注明来源，谢谢！
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