山东天岳部分核心技术及其储备技术

山东天岳部分核心技术及其储备技术

新闻深度挖掘

如果感觉文章很长

那是我们要走很远

近期，上交所受理山东天岳科创板IPO申请，其中天岳公司提到了其核心技术及其储备技术，在此就做一个整理，提取部分我感兴趣的点。

核心技术

1.碳化硅单晶生长设备、热场设计制造技术

CN201510223992.9一种生长高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置 有权-审定授权

====通过惰性气氛预烧坩埚和保温材料，去除石墨坩埚中B、N杂质。之后加入7N原料，在H2/CH4/HCl/H2S/Cl2和惰性气体混合气氛下生长，进一步去除B、N杂质。

CN201610486891.5一种PVT法大直径碳化硅单晶生长装置 有权-审定授权

====图中：1是上盖、2是侧壁，3是下盖，4是加热器，5是保温隔热材料，6是生长室，7、3、15是冷却水进水口，8是抽气口，9是测温窗口，10是进气ロ，11、12、14是冷却水回水口，16是密封圈，17是孔。

CN201811204668.2一种生长碳化硅单晶的热场结构 有权-审定授权

PCT/CN2018/123708 LARGE-SIZE HIGH-PURITY SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SUBSTRATE, PREPARATION METHOD THEREFOR AND PREPARATION DEVICE THEREOF

====壁厚变化的坩埚、壁厚变化的保温结构，以此调节温场。

2.高纯碳化硅粉料制备技术

CN201710019523.4一种高纯碳化硅粉料的制备方法 有权-审定授权

====6N碳粉在真空、1800-2300℃恒温5-15h，接着通入惰性气氛500-900mbar，然后通入6-9N硅烷（甲硅烷、乙硅烷）在1800-2300℃反应，制备高纯碳化硅粉末。

CN201811402981.7一种高纯碳化硅粉及其制备方法 有权-审定授权

PCT/CN2018/123721HIGH-PURITY SILICON CARBIDE POWDER AND PREPARATION METHOD THEREFOR

====硅粉在氧气气氛中表层氧化，通过1300-1500℃惰性气体冲洗，降低N杂质，用于制备碳化硅包裹硅的粉料。

CN201711122063.4一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用 有权-审定授权

PCT/CN2018/084427 METHOD FOR SYNTHESIZING HIGH-PURITY SILICON CARBIDE RAW MATERIAL AND APPLICATION THEREOF

====硅粉在氧气气氛中表层氧化，接着混合碳粉在1800-2300℃惰性气氛中反应，制备碳化硅包裹硅的粉料。通过富硅降低碳包裹体的生成。

3.精准杂质控制及电学性能控制技术

CN201710019521.5一种高纯半绝缘碳化硅衬底的制备方法 有权-审定授权

====惰性气氛2000-2500℃退火300-600s，之后快速冷却。快速冷却方法可以为降低退火炉功率、水冷、风冷、浸泡甲基硅油。通过快速冷却制造本征点缺陷，降低电阻率。

CN201711121551.3一种高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法 有权-审定授权

PCT/CN2018/084372 METHOD FOR PREPARING HIGHLY PURE SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL

====掺杂Sn、Ge引入缺陷能级，同时产生压应力控制本征点缺陷浓度。

CN201811204690.7一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底 有权-审定授权

PCT/CN2018/123707SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL DOPED WITH SMALL AMOUNT OF VANADIUM, SUBSTRATE PREPARED THEREFROM, AND PREPARATION METHOD THEREFOR

====掺杂少量V/Nb/Ta引入缺陷能级，同时本身原料存在B/N/Al变成共掺杂，同时产生压应力控制本征点缺陷浓度。

CN201811204702.6掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底的制备方法 有权-审定授权

PCT/CN2018/123707 SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL DOPED WITH SMALL AMOUNT OF VANADIUM, SUBSTRATE PREPARED THEREFROM, AND PREPARATION METHOD THEREFOR

上述衬底具体制造方法

4.碳化硅单晶应力和缺陷控制技术

CN201811204668.2一种生长碳化硅单晶的热场结构有权-审定授权

PCT/CN2018/123708 LARGE-SIZE HIGH-PURITY SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SUBSTRATE, PREPARATION METHOD THEREFOR AND PREPARATION DEVICE THEREOF

见1中，调节坩埚、保温结构的壁厚

CN201710520916.3一种抑制碳化硅单晶中碳包裹体缺陷的生长方法有权-审定授权

PCT/CN2018/084348GROWING METHOD INHIBITING CARBON INCLUSION DEFECTS IN SILICON CARBIDE MONOCRYSTALS

====调节气压：先是5-50mbar生长20-50h、之后50-100mbar生长20-50h、接着升压至100MPa降温10-20h，由此降低碳包裹体缺陷

5.碳化硅单晶衬底超精密加工技术

CN201811205291.2一种高平整度、低损伤大直径单晶碳化硅衬底 有权-审定授权

PCT/CN2018/123718HIGH-FLATNESS, LOW-DAMAGE AND LARGE-DIAMETER MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

====全固结磨料加工（线切割、砂轮研磨），之后化学机械抛光

CN201811205285.7一种高平整度、低损伤单晶碳化硅衬底的快速制备方法 有权-审定授权

PCT/CN2018/123718HIGH-FLATNESS, LOW-DAMAGE AND LARGE-DIAMETER MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

上述衬底具体制造方法

CN201811303460.6一种pH稳定性提高的碳化硅化学机械抛光液及其应用 有权-审定授权

PCT/CN2018/123714CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING SOLUTION FOR SILICON CARBIDE HAVING INCREASED PH STABILITY, PREPARATION METHOD THEREFOR, AND USE THEREOF

====抛光液添加硝酸铝作为pH稳定剂

储备技术

1.液相法碳化硅单晶制备技术

CN201610463988.4一种多坩埚液相外延SiC晶体的方法 有权-审定授权

====多坩埚液相外延，不是长大单晶的

CN201610480812.X一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法 有权-审定授权

====石墨挡板，防止硅蒸汽溢出

CN201610462617.4一种液相生长碳化硅籽晶轴装置 有权-审定授权

====多段籽晶杆：1.搅拌杆，2、阻热材料（热导率低于石墨且不与硅蒸汽反应，比如石墨纤维、不锈钢、大理石），3、石墨，4、籽晶。引入阻热材料，降低温度从籽晶杆上传导出去的速率。

CN201610482560.4一种碳化硅溶液法中实时监测并调整固液界面高度的方法 有权-审定授权

====通过测定电流变化，判断籽晶是否接触液面。

CN201610505971.0一种液相生长碳化硅的籽晶轴及方法 有权-审定授权

====籽晶杆拆分为两部分，通过螺纹或者卡扣连接。

CN201610835100.5一种获得液体硅的方法及实现该方法的坩埚 有权-审定授权

====坩埚上部温度比下部低，形成温度梯度，通过将原料放置于不同高度，实现多种原料同步融化。

2.GaN on SiC

CN201110249039.3氢化物气相外延生长GaN单晶用的HPO腐蚀籽晶及其制备方法 有权-审定授权

CN201811204666.3一种高纯碳化硅单晶衬底 有权-审定授权

PCT/CN2018/123710HIGH-PURITY SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR

====高温热处理形成本征点缺陷，之后激光表面退火，降低表层本征点缺陷，使其与GaN晶格更匹配

CN201811205277.2一种制备高质量的半绝缘碳化硅单晶衬底的方法 有权-审定授权

PCT/CN2018/123710HIGH-PURITY SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR

上述衬底具体制造方法

3.P-SiC

以技术秘密为主

4.机器学习

以下计算使用机器学习中的各种算法。

CN201911033270.1一种晶体生长预测方法及装置 审中-实质审查

====输入热场测量值，计算晶体生长的热场分布数据、晶体形状变化数据、晶体的应力分布数据。

CN202010086848.6一种预测晶体热场分布的方法、装置以及设备 审中-实质审查

====输入热场结构变化，计算该热场结构对应的温度分布。

CN202010322263.X一种预测SiC单晶炉内整体温度场的方法及设备 审中-实质审查

====输入测温孔测得的温场，计算炉内整体温场。

CN201910951137.8一种SiC缺陷的检测方法和系统 审中-实质审查

====输入晶片图片，计算晶片缺陷数量及位置。

CN202010461911.X一种晶体切割工艺优化方法及装置 审中-实质审查

输入线切割实验参数，计算最优解。

To Be Continue

- 助你建立碳化硅全息地图 -

Rad聊碳化硅

鸿 Rad

兼修碳化硅的晶体博士生

15620600610

长按 扫码 获取完整 碳化硅知识地图