总投资120亿！湖北三安化合物半导体项目一期投产

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近日，三安集成透露，其总投资160亿的长沙碳化硅制造基地将于下半年启动投产。此消息后，湖北三安也更新了化合物半导体项目动态。

4月16日，根据国家葛店经开区消息显示，湖北三安III-V族化合物半导体项目第一批晶圆片正式投料，标志着湖北三安光电有限公司Micro LED(微发光二极管）和Mini LED(亚毫米发光二极管）芯片生产线投产。项目根据投产计划倒排工期，此番实现约330亩一期工程投产，并已启动二期建设。

湖北三安光电项目总投资120亿元，即是是我国首个大规模Micro LED和Mini LED芯片项目，也是湖北省打造世界光谷的支撑项目。项目建成达产后，预计氮化镓芯片系列年产161万片、砷化镓芯片系列年产75万片、4K显示屏用封装产品年产84000台，产品主要供应三星、TCL、华为、苹果等公司。

项目分二期建设，建成达产后将形成具有自主知识产权、掌握核心技术、掌握行业话语权，具有重要国际影响力的Mini/Micro LED芯片产业生产基地。

值得注意的是，4月1日，三安光电发布公告称，湖北三安收到项目设备补贴资金2.85亿元。

公告中称，根据鄂州葛店开发区管委会与三安光电股份有限公司签订的《项目投资合同》，经葛店开发区管委会同意，给予湖北三安Mini/Micro显示产业化项目设备补贴资金2.85亿元。湖北三安已于2021 年3月30日收到该笔款项。

文稿来源：化合物半导体市场，Amber整理

图片来源：国星光电，拍信网

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