通过调控升华和沉积提高表面质量

Rad聊碳化硅 · 2021-03-13

通过调控升华和沉积提高表面质量

如果感觉文章很长

那是我们要走很远

常见衬底有两种问题,第一是基平面位错BPD会延伸到外延层中;第二是切割形成的应变并不会因为抛光而完全去除,也是会造成影响。通过退火、刻蚀、生长提高表面质量是常用方法。为了解决这两个问题,日本关西学院(Kwansei Gakuin University)将三者结合起来,控制其时间与参数,叫做Dynamic AGE-ing(动态退火-生长-刻蚀)技术。

Annealing 退火:高温处理,表面的SiC生成气体同时气体又沉积,通过控制温度和气氛得到平坦表面。

Growth 外延生长:通过生长梯度掺杂的外延层,实现BPD转化为无害的刃位错,使得外延层BPD<1。

Etching 刻蚀:通过高温处理,表面的SiC生成气体,去除加工应变层。

这样处理过的大部分商用衬底的BPD密度都可以小于1个/cm2。

新闻来源

太牛了!!丰田“零缺陷”6英寸碳化硅衬底将量产,价格将大幅下降?

参考文献

https://www.kwansei.ac.jp/cms/top_univ/news/2021/20210301_SiC%E3%83%95%E3%82%A1%E3%82%AF%E3%83%88%E3%83%96%E3%83%83%E3%82%AF_Fixed.pdf

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鸿 Rad

兼修碳化硅的晶体博士生

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