英飞凌与GTAT携手扩大SiC供应
英飞凌与GTAT携手扩大SiC供应
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英飞凌的工业电源控制事业部总裁Peter Wawer
英飞凌科技股份公司和GT Advanced Technologies(GTAT)签署了SiC晶柱的供应协议。该合同的初始期限为五年。有了这份供应合同,这家德国半导体制造商对于满足该领域不断增长的材料需求,就多了一分把握。
英飞凌目前以CoolSiC品牌,面向工业应用推出了大量产品组合,并正在迅速将其产品扩展至消费类和汽车类产品。
“我们看到了对基于SiC的开关器件的需求正在稳步增长,尤其是在工业应用领域,”英飞凌的工业电源控制事业部总裁Peter Wawer(上图)说,“不过,很明显,汽车领域也在迅速跟进。通过我们现在签订的供应协议,我们确保我们能够通过多元化的供应商基础来满足客户快速增长的需求。GTAT的高品质晶柱将为SiC晶圆提供额外的来源,这些晶圆无论现在还是将来都满足一流的材料标准,颇具竞争力。这支持了我们雄心勃勃的SiC增长计划,充分利用了我们现有的内部技术和薄晶圆制造的核心竞争力。”
“我们很高兴与英飞凌达成长期供应协议。”GT Advanced Technologies总裁兼首席执行官Greg Knight说,“通过让英飞凌专有的薄晶圆技术应用于GTAT的晶柱,GTAT将使其实现有保障的高质量内部SiC晶圆供应。SiC器件采用率的增长主要与降低衬底成本有关,这一协议是实现该目标的重要一步。”
到目前为止,SiC主要用于光伏逆变器、工业电源和电动汽车的充电基础设施中。这也是与传统的硅解决方案相比,SiC在系统层面的优势体现出来的地方。其他工业应用,例如不间断电源和变速驱动器,也越来越多地使用新的半导体技术。此外,电动汽车显示了应用空间的巨大潜力,包括驱动系统的主逆变器和车载电池充电装置。