这家公司MicroLED巨量转移取得新进展；晶呈在铜磁基板开发超薄MicroLED；聚灿联手中科院成立联合实验室

行家说Talk · 2020-11-06

【行家快报】这家公司Micro LED巨量转移取得新进展；晶呈在铜磁基板开发超薄Micro LED；聚灿联手中科院成立联合实验室

VerLASE称Micro LED巨量转移技术取得新进展

美国Micro LED技术开发商VerLASE技术公司表示在Micro LED显示器的巨量转移取得了重大进展。VerLASE 现在计划开发各种模具尺寸的工艺流程，尺寸涵盖 200* 200 um到10*10 um，以及5*5um。

VerLASE的技术基于一种独特的技术，它称之为光机械驱动（PMA）。该技术基于stamp转移架构以及创新的化学方式，可以准确的拾取大量的Micro LED芯片，将它们转移到基板上并以非常高的准确性和速度对芯片进行分配。VerLASE表示，该转移技术既能保证产能，又能保证转移精度。

晶呈科技在铜磁基板上开发出超薄Micro LED

晶呈科技宣布与中国台湾国立交通大学电子工程系洪瑞华教授成功在特殊的铜磁基板上开发Micro LED，具有超薄（仅50微米）免研磨等特点，并且可使用化学蚀刻进行芯片的分割。

此技术将使得Micro LED芯片本身不再脆弱，并可使用磁性探针卡进行巨量微整预排列与巨量转移，突破了传统的空气吸取芯片的限制，有机会大幅降低目前Micro LED显示器价格居高不下的制作成本。

晶呈采用自家专利的铜磁晶片技术，与中国台湾国立交通大学合作共同开发Mini＆Micro LED产品，将于年底陆续到位，目前正与合作伙伴对北美客户正进行产品送样验证阶段，明年可望取得突破性的出货成长。

聚灿联手中科院半导体研究所成立新型氮化物智慧光电联合实验室

聚灿光电11月2日晚间公告，子公司聚灿光电科技(宿迁)有限公司与中科院半导体研究所就建立“新型氮化物智慧光电联合实验室”达成合作协议。双方联合研究面向光通信领域的氮化物光电及集成技术，开发高性能高光功率氮化物发光及探测器件，联合实验室的合作有效期为3年。

聚灿负责开展面向光通信氮化物光电器件及集成的技术需求分析，并制订需求计划，根据聚灿提出的要求，中科院半导体研究所负责芯片设计技术联合实验室的应用技术研究与开发、技术支持以及科研人才的培养。中科院半导体研究所为聚灿推荐相关领域技术专家作为聚灿技术顾问，协助聚灿进行产品技术开发。