热！兆驰半导体Micro LED技术新进展

Micro LED作为新一代显示技术的佼佼者，受到业界的广泛关注。凭借其高分辨率、高亮度、高色彩饱和度、高可靠性、低功耗、低延时、窄边框及超长寿命等诸多卓越特性，Micro LED技术有望广泛应用于大尺寸超高清视频墙和智慧屏、中小尺寸车载显示屏、智能手表以及VR/AR等各类电子消费品领域，展现出广阔的市场前景。

近日，兆驰半导体在Micro LED技术领域取得了显著进展，并公布了一系列相关专利。

一种高空穴注入效率Micro-LED外延结构及其制备方法

申请公布号为CN118899378A，申请公布日为2024月11月。

本专利的Micro LED外延结构通过独特的多阶P型空穴注入增强层设计，显著提高了P型半导体层的空穴注入效率，并优化了多量子阱发光层区域的电子空穴浓度匹配度，从而大幅提升了Micro LED芯片在低工作电流密度下的光效。

专利摘要：本发明公开了一种高空穴注入效率Micro LED外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明的Micro LED外延结构包括多量子阱发光层、多阶P型空穴注入增强层和P型半导体层；多阶P型空穴注入增强层包括第一阶空穴注入增强层、第二阶空穴注入增强层和第三阶空穴注入增强层；第一阶空穴注入增强层包括第一AlGaN层和第一InGaN层；第二阶空穴注入增强层包括第二AlGaN层和第二InGaN层，第二InGaN层中掺杂有Mg；第三阶空穴注入增强层包括第三AlGaN层、第三InGaN层和第四InGaN层，第三InGaN层和第四InGaN层中分别掺杂有Mg。

用于Micro-LED的外延结构及其制备方法

申请公布号为CN118888657A，申请公布日为2024月11月。

本专利通过优化外延结构的层次设计，特别是量子垒层和空穴输运层的特殊组合，进一步提升了Micro LED在低电流密度下的光效和显示效果。

专利摘要：本发明公开了一种用于Micro LED的外延结构及其制备方法、Micro LED，涉及半导体光电器件领域。其中，外延结构依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴输运层和P型GaN层；多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；所述量子阱层为InxGa1xN层，所述量子垒层包括依次层叠的InyGa1yN层、AlzGa1zN层和BwGa1wN层；x＞y；所述量子垒层的厚度＜10nm；所述空穴输运层包括依次层叠的AlαGa1αN层、BβGa1βN层和AlN层；w＞α＞β。实施本发明，可提升Micro LED在低电流密度下的光效，提升其显示效果。

一种蓝光Micro-LED的外延结构及其制备方法

申请公布号CN118825157A，申请日期为2024年9月。

本专利通过创新的外延结构设计，可降低生长InGaN量子阱时的应力，显著改善多量子阱发光层的质量，同时提高P型半导体层的空穴注入效率，从而提高Micro LED芯片在低工作电流密度下的光效、良率等性能，适用于小尺寸、低电流以及低功率的蓝光Micro LED。

专利摘要：本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种蓝光Micro LED的外延结构及其制备方法，外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，N型半导体层，低温应力释放层，多量子阱发光层，电子阻挡层和P型半导体层，所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱子层第二浅蓝光多量子阱子层第三蓝光多量子阱子层和第四浅蓝光多量子阱子层，其中每层子层均为InGaN多量子阱层与多量子垒层的超晶格结构。

一种Micro-LED的外延结构及其制备方法

申请公开号CN118825159A，申请日期为2024年9月。

本专利通过在在N型掺杂GaN层和多量子阱层之间设置插入层，可以降低生长多量子阱层时的应力，并降低多量子阱层的位错密度，提高多量子阱层的晶体质量，从而提高Micro LED的内量子效率，降低工作电压，提升发光亮度。

专利摘要：本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种Micro LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂GaN层插入层多量子阱层，电子阻挡层，P型掺杂GaN层和接触层；其中，所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上依次设置的AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。

在数字时代，显示产业已成为推动信息消费升级、壮大数字经济、发展电子信息产业的关键力量。随着Mini/Micro LED时代的到来，兆驰半导体将充分发挥其在LED垂直产业链上的资源整合优势，加速推动Mini/Micro LED技术的商业化应用，为显示产业的升级和发展贡献更多力量。

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