北大，武大公开了紫外LED芯片相关专利
行家说UV从国家知识产权中心了解到，北大，武大公开了芯片相关的专利。
一种垂直注入型AlGaN基紫外发光二极管器件及其制备方法
北京大学公开了一种垂直注入型AlGaN基紫外发光二极管器件及其制备方法。本发明提供的方法包括在GaN/蓝宝石模板上通过应力释放及表面修复等外延工艺实现表面平整、无裂纹的紫外LED全结构外延生长；然后采用激光剥离手段去除蓝宝石衬底，结合紫外LED制备工艺，得到垂直注入型紫外LED器件。
该发明提供的垂直注入型AlGaN基紫外发光二极管器件不仅改善紫外LED器件光提取效率低的问题，还解除了紫外LED器件对于AlN模板的依赖，降低生产成本，对AlGaN基紫外LED器件性能提升及产业应用具有重要意义，适合大力推广。
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一种增强光输出功率的深紫外LED芯片及其制造方法
武汉大学申请涉及一种增强光输出功率的深紫外LED芯片，包括：外延层，外延层包括缓冲层、N型半导体层、量子阱层、和P型半导体层；N型欧姆接触层，N型欧姆接触层覆盖N型半导体层，与N型半导体层形成欧姆接触；反射电流阻挡层，反射电流阻挡层部分覆盖P型半导体层；P型欧姆接触层，P型欧姆接触层覆盖反射电流阻挡层，且与P型半导体层形成欧姆接触；绝缘层；金属焊盘层。
该申请提供的深紫外LED芯片设置有反射电流阻挡层，且反射电流阻挡层对P型半导体层是部分覆盖，反射电流阻挡层将光进行反射，大幅增加出光效果，有效提升光提取效率，从而提高光输出功率；同时反射电流阻挡层与P型半导体层无法形成欧姆接触，促使电流扩展，减少电流积聚效应。
来源：综合整理
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