国星半导体、中科潞安公开紫外LED专利
国星半导体、中科潞安公开紫外LED专利 综合整理 行家说UV 2024-04-30 18:00
近日，行家说UV了解到，国星半导体和中科潞安都公开了相关的专利。
一种紫外LED芯片及其制作方法
佛山市国星半导体技术有限公司公开了一种紫外LED芯片及其制作方法，所述芯片包括衬底、第一半导体层、有源层、开口层、第二半导体层，所述第一半导体层设置在衬底上，所述有源层设置在第一半导体层上，所述开口层设置在有源层上，所述开口层设置在有源层上，所述第二半导体层设置在开口层上；所述开口层包括InxGa(1x)N层、AlyGa1yN层和GaN层，所述InxGa(1x)N层设置在有源层上，所述AlyGa1yN层设置在InxGa(1x)N层和GaN层之间；所述第二半导体层设有孔洞，所述孔洞从第二半导体层刻蚀至开口层，所述孔洞内填充有反射材料，所述反射材料形成反射层；本发明开口层与反射层形成不规则导光柱，以减少了第二半导体层对紫光的全反射，提高芯片的出光效率。
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一种垂直结构的深紫外LED外延片及其生长方法
中科潞安发明专利涉及一种垂直结构的深紫外LED外延片及其生长方法，所述垂直结构的深紫外LED外延片包括衬底（1），衬底（1）上设有缓冲层（2），缓冲层（2）上设有非掺杂uGaN激光剥离层（3），非掺杂uGaN激光剥离层（3）上设有pGaN外延层（4），pGaN外延层（4）设有pAlxGa1xN缓冲层（5），其中x介于1%20%之间，pAlxGa1xN缓冲层（5）上设有pAlyGa1yN析出层（6），其中y由20%→60%渐变，pAlyGa1yN析出层（6）上设有pAlzGa1zN势垒层（7），其中z介于40%80%之间，pAlzGa1zN势垒层（7）上设有多量子阱层（8），多量子阱层（8）上设有nAlGaN层（9）。其解决了现有的深紫外LED外延结构因制作垂直结构无法实现激光剥离的问题，同时解决了传统深紫外倒装芯片出光效率低、电流拥堵、散热差、寿命低的问题。
来源：综合整理
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