2项专利，可提升器件的光输出功率
行家说UV 导读：
行家说UV了解到最新的两项紫外LED专利。
北京大学这一发明涉及化合物半导体光电子器件领域，尤其涉及一种高性能AlGaN基深紫外发光二极管器件(LED)的器件结构及其制备方法。
该发明所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件结构具有V形立体p‑n结注入结构。所述V形立体p‑n结注入结构是通过在AlGaN基量子阱部分的V形腐蚀坑的侧壁的半极性面上进一步形成AlGaN电子阻挡层(EBL)、p‑AlGaN和p‑GaN接触层而形成的。该V形立体p‑n结注入结构改变了目前广泛使用的在(0001)面蓝宝石衬底上生长的AlGaN基深紫外LED中空穴只能沿着[000‑1]方向注入这一固有限制，从而有效解决空穴迁移能力不足导致的注入效率低下的问题，显著提升LED器件量子阱中空穴浓度和均匀分布，进而提升器件的光输出功率，同时有效解决了大电流注入下的Droop效应问题。
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中国科学院半导体研究所则是公开提出了一种紫外LED芯片及其制备方法，包括衬底、氮化铝缓冲层、氮化铝层、氮化铝镓层和电极层。氮化铝层包括金属极性面氮化铝层和氮极性面氮化铝层。
其中氮化铝镓层包括金属极性面氮化铝镓层和氮极性面氮化铝镓层，金属极性面氮化铝镓层与金属极性面氮化铝层通过第一接触面连接，氮极性面氮化铝镓层与氮极性面氮化铝层通过第二接触面连接，金属极性面氮化铝镓层和氮极性面氮化铝镓层通过第三接触面连接；其中，金属极性面氮化铝镓层和氮极性面氮化铝镓层在内建电场的作用下，分别在第一接触面和第二接触面产生二维空穴气和二维电子气，二维空穴气和二维电子气在外加电流的作用下向第三接触面移动并发生复合从而产生紫外光。
来源：综合整理
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