华灿光电、华中科技大学等公布紫外LED芯片新进展
行家说UV 导读：
近日，行家说UV从国家知识产权局了解到，华灿光电、华中科技大学分别公布了其关于芯片的制备方法。
华灿光电：一种发光二极管的外延片及其制备方法
华灿光电提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的第一高温AlN缓冲层、超晶格层、第二高温AlN缓冲层、AlGaN过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，其中，所述超晶格层包括交替层叠的多个AlN层和多个SiN层。
SiN层能够起到阻挡穿透位错的作用，并且交替层叠的AlN层和SiN层能够使由第一高温AlN缓冲层延伸上来的位错弯曲，增加位错相互湮灭的几率，使得在各层层叠的方向上，AlN的晶体质量越来越好，有利于提升外延片整体的晶体质量，超晶格层还能够缓解AlN材料中的张应力，使得紫外LED的发光效率得到提升。
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华中科技大学：一种正面出光深紫外LED芯片制备方法
华中科技大学则是提供的一种正面出光深紫外LED芯片制备方法将MOCVD技术与芯片工艺相结合，在AlN缓冲层上外延生长分布式布拉格反射器外延结构，经过电化学刻蚀后形成高深紫外反射率的反射器，最后二次外延生长深紫外LED结构，通过引入高深紫外反射率的分布式布拉格反射器，将芯片内部量子阱向下发射的光子重新反射上去，采用双向光提取机制提升了深紫外LED芯片光提取效率。
同时根据量子阱发光波长匹配较高Al组分的P型空穴注入层与p型电流扩展层，再引入可以形成良好欧姆接触的氧化铟锡(ITO)深紫外高透光电极，减少p型层对深紫外光子的吸收，进一步提高深紫外LED的光提取效率，最终提高整个深紫外芯片的外量子效率。
来源：综合整理
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