较低紫外光吸收损耗，兆驰半导体等2企有新进展
行家说UV 导读：
近日，行家说UV从国家知识产权总局官网了解到南通顺安电气有限公司、江西兆驰半导体有限公司都公开了最新的专利。
▊一种深紫外LED无机封装结构及LED灯具
南通顺安电气有限公司本具体公开了一种深紫外LED无机封装结构，包括封装仓，所述封装仓的内侧顶部设置有灯照机构，所述封装仓的内侧底部设置有液冷机构，所述灯照机构包括固定连接在封装仓内侧顶部的固定板，所述固定板的下端固定连接有灯罩，所述固定板的下端靠近灯罩的内侧固定连接有安装座，所述安装座的一端安装有紫外线灯，所述灯罩的内侧底部固定连接有折射块，所述灯罩的下端固定连接有放射板。
该发明通过灯照机构、液冷机构之间的配合，可以增加紫外线光的光照度，同时可以进行有效的散热，且提高陶瓷基板的成品率，而且整个装置操作比较简单。
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▊AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法
江西兆驰半导体有限公司公开一种AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法，该外延结构包括衬底及外延层，所述外延层包括沿外延方向依次生长的N型半导体层、低温应力释放层、有源区发光层、电子阻挡层、p型渐变AlGaN空穴注入层及p型接触层；所述p型渐变AlGaN空穴注入层的Al组分含量沿外延方向递减，且所述p型渐变AlGaN空穴注入层掺杂有Mg，其中，Mg的掺杂浓度沿外延方向递增；所述p型接触层为低掺杂Al、高掺杂Mg的AlxGa(1x)N层。
运用该发明的外延结构能够使得p型层在具有充足的空穴浓度的同时，具有较低的紫外光吸收损耗，紫外LED整体的发光效率高。
来源：综合整理、国家知识产权局
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