AlN材料研发新进展公布，来自这一团队

UVLED风向 · 2024-01-02

行家说UV 导读：

近日，由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头，奥趋光电、楚赟精工科技（上海）有限公司参与的合作项目“低缺陷AlN材料制备关键技术及其深紫外光电器件”项目获吉林省技术发明一等奖。

▊已开发出3英寸晶圆样片

AlN具有高禁带宽度（6.2eV）、高热导率、高击穿场强、良好的紫外透过率、化学和热稳定性等优异性能，与金刚石一起称为终极半导体材料。其中，AlN作为衬底材料在紫外光电器件（UVC-LED、紫外激光器、紫外传感）、各类射频器件/功率器件及国防军工（紫外预警、高功率X波段相控雷达、保密通信）等领域有广泛应用前景。

奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的AlN单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76 mm的铝极性AlN单晶及3英寸晶圆样片。

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▊实现220-240 nm超低远紫外吸收系数

此前奥趋光电推出新一代面向深紫外光电器件的高透过率AlN单晶衬底。根据第三方检测结果，该衬底的深紫外透过率在远紫外220-240nm波段实现了低至17-26cm-1的深紫外吸收系数，而深紫外265 nm波长下测得衬底的紫外吸收系数也低至15.03 cm-1，突破了奥趋光电AlN单晶衬底该波段吸收系数的最优结果。

据奥趋光电CTO王琦琨博士介绍，物理气相沉积法（PVT）是目前唯一能高效生产高质量、大尺寸AlN单晶的方法，但AlN单晶生长极其困难，至今全球仅能实现2英寸AlN单晶衬底小批量生产，而且生长AlN单晶过程中极易引入C/O/Si等非故意掺杂杂质及各种缺陷，导致AlN衬底深紫外透过率大幅下降。

为此其团队在杂质传输机理、杂质/缺陷对200-280nm波段光吸收影响机制等方面开展大量基础研究，并通过有效调控生长系统与工艺参数，最终在世界上首次实现了220-240 nm波段低至17-26 cm-1的超低远紫外吸收系数。

来源：综合整理

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