Crystal IS，器件WPE达到6.5%
行家说UV 导读：
“最大WPE达到6.5%”，此前在第三届国际紫外光发射技术和应用会议（ICULTA 2023）上Asahi Kasai的子公司Crystal IS应用工程总监Rajul Randive向与会代表介绍器件的最新功能。
▊L70寿命已经达到25000小时
据Randive透露Crystal IS 265 nm LED的创纪录性能水平，单芯片输出功率在500 mA时已高达160 mW，最大WPE达到6.5%，该新器件同时保留 Klaran的紧凑型3.5mm x 3.5mm封装和焊盘设计，旭化成表示，更高输出的产品将用于加速 UVC-LED的采用，并加速低压汞灯的广泛更换。
根据资料显示，与大多数UVC-LED产品不同，Crystal IS制造的产品是在内部生产的低缺陷密度块状AlN衬底上生长的。块体AlN中的穿透位错密度比在蓝宝石上生长的UVC-LED异质结构中的穿透位错密度低许多数量级。
Crystal IS 将卓越的器件寿命归因于较低的穿透位错水平，在350 mA的驱动电流下，Crystal IS器件的L70寿命已经达到25000小时。
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▊AlN衬底具有固有内部效率优势
此前了解到，目前许多UVC-LED 制造商都在蓝宝石这种低成本、透明的基底上制造结构。然而，蓝宝石与氮化物层之间存在晶格和热膨胀失配，导致材料中的位错数量增加，从根本上限制了基于蓝宝石的UVC器件的内部效率。为此使用块状蓝宝石作为基底的制造商主要致力于提高萃取效率，以改善器件的整体WPE。
UVC-LED器件效率损失示意图。
而使用块状AlN衬底的制造商具有固有的内部效率优势--更具体地说，内部量子效率（IQE），即电子-空穴重组产生光子的百分比，而不是电子遇到位错缺陷时产生的热量。与生长在蓝宝石衬底上的器件相比，生长在氮化铝上的器件在UVC波长下的IQE高出一倍多。因此，使用块状AlN作为其UVC-LED基础的制造商寻求通过提高内部效率和萃取效率来提高WPE。
另外为了增强深紫外线 LED 的竞争力，Crystal IS正在开发一种技术，将2 英寸（约 50 毫米）的基板尺寸提高到4 英寸（约 100 毫米），力争到2024年实现技术。
来源：行家说UV整理、化合物半导体
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