格恩半导体、深紫科技公布紫外LED研究进展
行家说UV 导读：
近期，格恩半导体、深紫科技公布了紫外LED方面的研究进展。
▊一种改善短波长紫外LED限制的外延结构
安徽格恩半导体有限公司公开了一种改善短波长紫外LED限制的外延结构，涉及近紫外波段LED外延结构技术领域；为了解决现有技术存在缺陷问题；该外延结构，从下至上依次包括衬底、GaN低温缓冲层、GaN第一非掺杂层、GaN第二非掺杂层、n型AlGaN/GaN过渡层、AlGaN/AlN超晶格层、多量子阱层。
该专利不但可以起到更好的载流子限制作用，也可以获得更高质量的势垒层，改善载流子溢出问题，提升量子阱区的发光效率，而且AlGaN势垒层中Al组分低于15％，能够保证AlGaN有较高的晶体质量，解决了现有技术中近紫外LED中量子阱载流子限制较弱和AlGaN材料的生长困难问题，易于推广。
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▊一种紫外LED器件的制备方法
湖北深紫科技有限公司提供了一种紫外LED器件的制备方法，上述制备方法包括：首先提供一基板，基板包括多个具有向上表面开口的凹部，每一个凹部中收纳有紫外LED芯片；其次，提供一治具组件，治具组件包括产品成型模具以及脱模治具；再次，将产品成型模具放置于基板上，使产品成型模具的透镜成型槽与凹部的开口对位设置；再次，向产品成型模具中的透镜成型槽中注入密封胶，并烘烤成型形成透镜，透镜完全填充凹部的开口以及透镜成型槽。
最后，通过脱模治具将产品成型模具与基板进行下压脱模处理，使产品成型模具与基板分离，以得到紫外LED器件；本发明提供的紫外LED器件的制备方法形成一个能够保护芯片及起到聚集发射角度的透镜，进而提高了光功率。
来源：综合整理
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