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UV光源150K/M,华引芯半导体器件中心扩建完成
UVLED风向 · 2023-11-15
UV光源150K/M,华引芯半导体器件中心扩建完成
行家说UV 导读:
11月10日,华引芯半导体器件中心揭牌仪式,正式宣告其高端光源器件产能扩建工作顺利完成。
UV光源150K/M,华引芯半导体器件中心扩建完成
据悉,该中心将承接车规光源、Mini-LED新型显示光源、UV光源、IR光器件等华引芯主营产品研发制造业务,这是继今年3月底芯片量产基地竣工投产后,华引芯推进产能爬坡、提升量产交付能力的又一重要举措。
▊UV光源产能将达到150K/M
华引芯官方消息显示,该中心对其持续纵深“芯片/封测/应用”全链垂直整合策略,进一步加强高端光源产品性能及成本优势,更好地满足新兴市场快速增长需求具有战略意义。
据华引芯封装事业部总经理介绍,一期新线体全面投产后,公司CSP器件、红外光器件、UV光源产能将分别达到50KK/M、100K/M、150K/M,年产值将突破亿元大关。同时,华引芯(武汉)半导体器件中心也将与华引芯(张家港)芯片量产基地协同发展,优势互补开发多元化、定制化、高端化的产品组合,充分挖掘各地产线潜能抢占更多市场份额。
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UV光源150K/M,华引芯半导体器件中心扩建完成
▊2025年实现WPE破9.6%
华引芯介绍,其HGC紫外光源系列遵循“Chip on Tim”技术路线,采用自研高光效UV倒装芯片搭配先进全无机封装工艺,改善散热的同时有效提升器件光输出功率。
UV光源150K/M,华引芯半导体器件中心扩建完成
另外为减少传统方案中裸晶芯片到封测后的亮度衰减,HGC开发全新自研侧反射增光技术,通过器件内单晶硅材倾角结构提取芯片侧壁出光,辅以高反射UVC金属镀膜技术和双面AR镀膜石英透镜,进一步增强光提取和光透过率,器件整体WPE提升至6%,实现35mW@100mA 、170mW@500mA的高效光功率输出,并透露在2025年破9.6%目标。
来源:华引芯、行家说UV整理
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UV光源150K/M,华引芯半导体器件中心扩建完成
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