改善UV LED器件热特性，北京一大学有新进展
行家说UV 导读：
近日，行家说UV从国家知识产权局了解到，UV LED方面又新增了两项公开动态。
北京工业大学：一种具有不连续欧姆接触电极结构的UVLED
北京工业大学公开了一种具有不连续欧姆接触电极结构的UV LED，包括外延片、电流阻挡层、透明导电层、SiO2钝化层、不连续欧姆接触P/N电极。所述不连续欧姆接触的UV LED是在外延片上制备图形化的电流阻挡层、透明导电层、SiO2钝化层，最后溅射金属，形成不连续欧姆接触P/N电极结构。
这种不连续的欧姆接触的P/N电极结构的正装UV LED，其不连续欧姆接触的N电极能够增加LED的有源区面积及侧壁出光面积以提高UV LED的出光性能；不连续欧姆接触的P电极能够增加LEDP/N电极之间的电流路径以缓解P电极下方的电流拥挤，改善器件UV LED的热特性。
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三肯光电：一种高强度的LED封装器件
日前，三肯光电公开了一种涉及高强度的LED封装器件，包括镶嵌有金属层的基板，以及设置于金属层上的UV LED芯片组；所述基板上设有撑板，所述撑板对应所述UV LED芯片组的各个芯片开设有容纳槽，所述容纳槽以所述芯片为中心设置且对所述芯片呈包围状，所述容纳槽自上往下逐渐收窄且其内壁上嵌有反光板，所述容纳槽的内壁下沿与所述芯片之间设有黏着层，所述容纳槽的内壁上沿设有安装阶梯槽，所述撑板上设有封装层，所述封装层对应各个所述容纳槽位置上设有透光层，所述透光层外沿与所述安装阶梯槽配合。
据了解，该实用新型通过设置UVLED芯片组的方式实现了多芯片的同时照明，并且对各个芯片设置独立的容纳槽，在容纳槽内壁上设置反光板，提升了照明的强度。
来源：行家说UV整理
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