提高封装出光率，厦门大学、华南理工大学等公布新技术
行家说UV 导读：
行家说UV从国家知识产权局了解到，厦门大学、华南理工大学公布了关于紫外LED的发明。
♦厦门大学：具有波矢调控的深紫外LED器件及其制备方法
日前，厦门大学公开了一种基于波矢调控提升AlGaN深紫外LED出光效率的器件结构及其制备方法。
该器件包含：透光衬底、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层，电极接触层，反射层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层接触的电极，第二半导体层和电极接触层刻蚀有周期性或随机分布的槽孔，反射层嵌入在其中，所述嵌入在第二半导体层槽孔中的反射金属在深紫外光区域具有等离激元共振特性，结合特定厚度的介质层调节，该结构可实现对高Al组分AlGaN量子阱光子传播模式的调控，基于波矢调控显着提升TM和TE模式辐射光子的出光效率。
所述特定厚度、具有低折射率的介质层主要起光学腔的作用，辅助提升反射金属的等离激元共振及其波矢调控能力。
加入UV LED行业流群，可添加微信：cenxitalk
♦潍坊职业学院：一种高压倒装结构的紫外LED芯片及其制作方法
近日，潍坊职业学院公布了一种高压倒装结构的紫外LED芯片及其制作方法，该发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种高压倒装结构的紫外LED芯片，包括衬底和外延结构，外延结构由下到上依次为ALN缓冲层、N型ALGaN层、有源层、P型ALGaN层和P型GaN层，外延结构上设有隔离槽、N台面、N型接触电极、绝缘层、Ag反射电极、金属保护层、钝化层和焊盘电极。
其介绍，该发明还提供高压倒装结构的紫外LED芯片制作方法，通过Ag反射电极和退火工艺，实现了Ag反射电极与P型GaN层的欧姆接触，并结合绝缘层，实现其在芯片表面的大面积覆盖，以保证对紫外光线的反射，在不制备透明导电层和DBR时，也能提高紫外LED芯片的光提取效率。
♦华南理工大学：一种基于侧面填充的深紫外LED封装结构及制备方法
此前，华南理工大学公开了一种基于侧面填充的深紫外LED封装结构及其制备方法。
其介绍该发明的目的，在于通过在芯片侧面填充掺杂有AlN粒子的硅胶(AlNparticles doped Silicone layer Filed in Chipside，ASFCS)的封装方法，特别说明，ASFCS封装，是芯片侧面填充掺杂AlN粒子的硅胶的封装方法，后面将用ASFCS封装代替所提到的侧面填充封装方法。ASFCS封装可提高芯片侧面的出光率，进而提高深紫外封装的出光率。
END
END
▼
延伸阅读
▼
又获大单，这一紫外企业再破记录
能源成本是关键指标， 4大UV LED固化厂商表态
###{a%5E%E5%8D%8E%E7%9B%9B%2Cb%5E%E5%82%B2%E5%BE%B7%E5%85%89%E7%94%B5%2Cc%5E%E9%95%AD%E9%BE%99%E5%85%89%E5%AD%A6%2Cr%5E%2Crt%5E%E5%85%B6%E5%AE%83%E6%9C%8D%E5%8A%A1%2Cl%5E2%2Cu%5E%E8%B5%9E%E5%8E%9F%2Cids%5E16476628338540000_16455114976850000_16578723443160000}@@@
