武大一团队研发出大功率AlGaN基超薄隧道结深紫外LED芯片
行家说UV 导读：
与传统汞灯相比，AlGaN基深紫外LED芯片在杀菌消毒、紫外光疗、水净化和光电探测等领域有广泛的应用价值。
然而，目前深紫外LED芯片的p-GaN接触层对深紫外光有强烈的吸收损耗，导致器件的光提取效率低。因此，开发一种低阻和高深紫外透光性的接触层代替p-GaN接触层，是进一步提升深紫外LED芯片电光转换效率的关键。
隧道结是一种重掺杂的p+-n+结半导体结构，在外加电压作用下，p区价带电子可以穿过禁带进入n区导带。将AlGaN基隧道结和深紫外LED相结合，有助于解决目前深紫外LED存在的光提取效率低的问题。
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行家说UV从武汉大学了解到，武汉大学周圣军团队在深紫外LED中引入了AlGaN基超薄隧道结（26 nm），最大限度地减少AlGaN基隧道结的体电阻，使发光波长为275 nm的大功率超薄隧道结深紫外LED芯片的正向电压从8.2 V降至5.7 V。同时，利用AlGaN基超薄隧道结对深紫外光的高透光性，降低了接触层的吸光损耗，使AlGaN基超薄隧道结深紫外LED芯片的电光转换效率相比于采用p-GaN接触层的深紫外LED芯片提升了5.5%。
集成超薄隧道结深紫外LED芯片阵列的深紫外光源在表面灭活实验中表现出优异的杀菌性能，为开发用于生物医学测试、空气和水净化以及杀菌消毒的大功率深紫外光源提供了理论和技术支持。
来源：武汉大学
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