三大公司公开最新UV LED研发成果
行家说UV 导读：
近期，优炜芯、中科潞安、苏州晶湛都公开了最新的研发技术，旨在提升UV LED光提取效率，降低生产成本。
苏州晶湛：设置一层纳米金刚石结构，提升UV LED的光提取效率
近期，苏州晶湛半导体公开研发的光电器件及其制备方法，该光电器件包括依次层叠设置第一半导体层、有源层、第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第二半导体层中设有一层纳米金刚石结构，所述纳米金刚石结构与所述第二半导体层的导电类型相同。
同时在通过在第二半导体层中设置一层纳米金刚石结构，可以有效避免吸收有源层发出的UV光线，达到大幅度提升UV LED的光提取效率的有益效果。
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优炜芯：一次固晶、降低深紫外发光二极管制作成本
优炜芯则是提供了一种深紫外发光二极管及其制备方法，深紫外发光二极管包括封装支架和发光单元，封装支架包括凹槽，发光单元位于凹槽内，其中，发光单元包括齐纳二极管以及深紫外发光二极管芯片，深紫外发光二极管芯片与齐纳二极管并联连接。
根据资料显示优炜芯提供的深紫外发光二极管通过将齐纳二极管与深紫外发光二极管芯片集成为一个发光单元，仅需一次固晶工艺就能将发光单元固定于封装支架的凹槽内，从而降低了深紫外发光二极管的制作成本，进而提高了深紫外发光二极管的生产效率。
中科潞安：采用镜面全反射芯片结构，提升芯片的光提取效率
中科潞安也在近期公开了最新研发，主要属于芯片结构技术领域，具体涉及一种AlGaN基UVLED芯片结构，包括衬底、AlN层、n型半导体层、量子阱层、p型半导体层、p型帽层，所述衬底上设置有AlN层，所述AlN层上设置有n型半导体层，所述n型半导体层上设置有量子阱层，所述量子阱层上设置有p型半导体层，所述p型半导体层上设置有p型帽层。
据了解，该技术采用镜面全反射芯片结构，将芯片发出的光全部反射至衬底出光面，避免TM模式的影响，可有效的提升芯片的光提取效率；并且本实用新型全反射扩展层的金属面积相比常规结构扩展层的面积大，有利于芯片散热，改善芯片的可靠性。
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