新制造方法，2项UV LED发明专利公开
行家说UV 导读：
行家说UV从国家知识产权了解到，继马鞍山半导体公布两项关于紫外LED生长结构的发明专利（点击这里阅读详情）， 广东两半导体研究所也更新了两项关于深紫外LED发明专利。
实现大功率发射，一种垂直结构深紫外LED器件及其制备方法
据行家说UV了解，广东省科学院半导体研究所公开了一种垂直结构深紫外LED器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。
其申请的垂直结构深紫外LED器件的制备方法包括：提供复合衬底，并在复合衬底上形成发光外延片；刻蚀发光外延片形成纳米孔洞，形成光子晶体结构，在纳米孔洞内沉积第一钝化层，并沉积Al金属颗粒；采用钝化材料填充纳米孔洞；沉积P电极与Al金属反射镜，通过金属键合层与导电衬底连接，并剥离复合衬底；研磨或刻蚀直至n-AlGaN层，之后在n-AlGaN层上进行选区刻蚀形成微纳米孔洞；在未刻蚀n-AlGaN的区域上沉积N电极。
广东省科学院半导体研究所介绍，这种垂直结构深紫外LED器件的制备方法，能够进一步提高器件的光提取效率以及发光效率，还能实现大功率发射。
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提高器件的取光效率，一种高光效深紫外发光二极管及其制备方法
而广东中科半导体微纳制造技术研究院同样是在结构上发力，其公开了一种高光效深紫外发光二极管及其制备方法。所述高光效深紫外发光二极管包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极、第二电极分别经第一欧姆接触层、第二欧姆接触层与所述第一半导体层、第二半导体层电性接触；所述第一半导体层、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层为第一掺杂类型，所述第二半导体层为第二掺杂类型。
据其介绍，该发明实施例提供的一种高光效深紫外发光二极管采用重掺杂的欧姆接触层降低了p型与n型欧姆接触结构的制作难度，可以同时实现p型及n型电极的高反射率，可大幅提高器件的取光效率。
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