首次实现，紫外LED衬底再有突破
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9月6月 中国 | 深圳
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日前，奥趋光电宣布推出了新一代面向深紫外光电器件的高透过率AlN单晶衬底。
根据第三方检测结果，该衬底的深紫外透过率在远紫外220-240nm波段实现了低至17-26cm-1的深紫外吸收系数，而深紫外265 nm波长下测得衬底的紫外吸收系数也低至15.03 cm-1，突破了奥趋光电AlN单晶衬底该波段吸收系数的最优结果。
奥趋光电高透过率AlN单晶衬底紫外吸收系数图谱
首次实现220-240 nm超低远紫外吸收系数
据奥趋光电CTO王琦琨博士介绍，物理气相沉积法（PVT）是目前唯一能高效生产高质量、大尺寸AlN单晶的方法，但AlN单晶生长极其困难，至今全球仅能实现2英寸AlN单晶衬底小批量生产。
由于超宽禁带半导体AlN禁带宽度理论值达6.2eV，因此能实现极低波段（200nm）的光透过率，是深紫外光电子器件最佳的衬底材料，但生长AlN单晶过程中极易引入C/O/Si等非故意掺杂杂质及各种缺陷，导致AlN衬底深紫外透过率大幅下降。
为此其团队在杂质传输机理、杂质/缺陷对200-280nm波段光吸收影响机制等方面开展大量基础研究，并通过有效调控生长系统与工艺参数，最终在世界上首次实现了220-240 nm波段低至17-26 cm-1的超低远紫外吸收系数。
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能有效解决远紫外LED制备难度大问题
相较于已经产业化的265nm波段，远紫外由于直接照射人体且不存在潜在危害被作为目前的研究热点。
AlN单晶作为深紫外光电器件的最佳衬底材料，根据检测的结果，奥趋光电此次推出的产品在220-240nm波段具有较好的高透光性，能有效解决远紫外光电器件位错密度高、制备难度大、使用寿命短及光功率低等问题。
远紫外被证明对人体安全（图来源：哥伦比亚大学欧文医学中心）
目前，该项研究已获得国家重点研发计划重大专项、国家自然基金及浙江省重点研发计划的支持。
来源：奥趋光电、行家说UV整理
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