又发现新材料，有望实现高性能UV LED
行家说UV 导读：
日前，东京都立大学Yasushi Hirose教授领导的团队开发出一种深紫外LED应用的新型电极材料-----具有优异导电性的氧化钽锡锗 (Ta:SGO) 薄膜。
据了解，团队使用脉冲激光沉积将广泛使用的透明电极成分氧化锡与氧化锗混合一起，而随着更多氧化锗的添加，DUV的透射率德达改善，另外在过程中加入部分钽，提高了薄膜的导电性。
新开发的氧化铝和氮化铝上的Ta:SGO薄膜显示出比氧化铟锡和氧化锑锡等普通透明电极材料更高的深紫外光透过率，以及相对较低的电阻率。图片来源：东京都立大学
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Yasushi Hirose团队指出，通过优化配方，所生产的薄膜具有低电阻率和优于所有已知电极材料（包括最常见的透明电极材料氧化铟锡 (ITO)）最好DUV透光率，也间接地证明可以使用氧化锡结晶层在AlN基板上形成薄膜。而氮化铝作为深紫外LED的关键材料，利用该团队新设计的氧化钽锡锗 (Ta:SGO) 薄膜与 AlN 的相容性在下一代芯片制造光源等实际应用中极具前景。
新型电极材料氧化钽锡锗 (Ta:SGO) 薄膜的开发这是为解决UV LED技术效率低问题的又一发现。
此前美国宾夕法尼亚州立大学、美国明尼苏达大学以及日本东京大学和日本东北大学共同研究发现一种发射UV光的新型透明导体材料——铌酸锶材料，研究通过使用铌酸锶材料，采用射法生长薄膜，进而测试铌酸锶薄膜作为UV透明导体材料的性能，结果表明有望以低成本将这种新型材料集成于UV LED中，并实现高质量消毒杀菌。
来源：smart-lighting、行家说UV整理
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