均匀性≤1.5%，裂纹≤1 mm，中博芯制备出蓝宝石衬底上低缺陷密度AlN模板
AlGaN基紫外探测技术是继红外探测技术之后发展起来的新型光电探测技术，具有体积小、重量轻、耐高温、功耗低、量子效率高和易于集成等优点，在国防、信息、能源、环境监测和公共卫生等领域具有极广阔的应用前景。
蓝宝石衬底上AIN模版产品性能达到新高度
行家说UV了解到，近日，基于北京大学宽禁带半导体研究中心多年技术积累和研究成果，中博芯成功制备出蓝宝石衬底上低缺陷密度AlN模板，XRD摇摆曲线半高宽(002)面≤150 arcsec，(102)面≤ 250 arcsec，膜厚≥2μm，面内均匀性≤ 1.5%，裂纹≤1 mm。
据了解，AlGaN基UV-LED的电光转换效率和日盲紫外探测器的暗电流强烈依赖于AlN外延层的质量。在产业界，相比于AlN单晶衬底，蓝宝石衬底上AlN模板价格优势明显，因此，高质量AlN模板是AlGaN基UV-LED和日盲紫外探测器制备的优选材料。
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曾制备出高质量的p型AlGaN 短周期超晶格
北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、宽禁带半导体研究中心沈波、许福军团队创新发展了一种“脱附控制超薄层外延”方法，成功解决了亚纳米厚度高Al组分AlGaN外延层的可控制备难题，实现了厚度为3个单原子层（约为0.75 nm）的高Al组分AlGaN外延层，并在此基础上制备出高质量的p型AlGaN 短周期超晶格。
图1 基于脱附控制方法外延生长的p型AlGaN超晶格
同时，该方法有利于Mg原子占据Al、Ga原子脱附后产生的空位而并入晶格，可有效增加AlGaN外延层中Mg的掺杂浓度。
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